參數(shù)資料
型號(hào)： IDT72V265LA10PF
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 3.3 VOLT CMOS SuperSync FIFO 8,192 x 18 16,384 x 18
中文描述： 16K X 18 OTHER FIFO, 6.5 ns, PQFP64
封裝： PLASTIC, TQFP-64
文件頁數(shù)： 11/27頁
文件大?。?/td> 439K
代理商： IDT72V265LA10PF
19
IDT72V255LA/72V265LA 3.3 VOLT CMOS SuperSync FIFO
8,192 x 18, 16,384 x 18
COMMERCIAL AND INDUSTRIAL
TEMPERATURE RANGES
Figure
10.
Read
Timing
(First
Word
Fall
Through
Mode)
NOTES:
1.
t
SKEW1
is
the
minimum
time
between
a
rising
RCLK
edge
and
a
rising
WCLK
edge
to
guarantee
that
IR
will
go
LOW
after
one
WCLK
cycle
plus
t
WFF
.If
the
time
between
the
rising
edge
of
RCLK
and
the
rising
edge
of
WCLK
is
less
than
t
SKEW1
,then
the
IR
assertion
may
be
delayed
one
extra
WCLK
cycle.
2.
tSKEW2
is
the
minimum
time
between
a
rising
RCLK
edge
and
a
rising
WCLK
edge
to
guarantee
that
PAF
will
go
HIGH
after
one
WCLK
cycle
plus
tPAF
.If
the
time
between
the
rising
edge
of
RCLK
and
the
rising
edge
of
WCLK
is
less
than
t
SKEW2
,then
the
PAF
deassertion
may
be
delayed
one
extra
WCLK
cycle.
3.
LD
=
HIGH
4
.
n
=
PAE
Offset,
m
=
PAF
offset
and
D
=
maximum
FIFO
depth.
5
.
D
=
8,193
for
IDT72V255LA
and
16,385
for
IDT72V265LA.
WCLK
12
WEN
D
0
-
D
17
RCLK
tENS
REN
Q
0
-Q
17
PAF
HF
PAE
IR
OR
W
1
W
1
W
2
W
3
W
m+2
W
[m+3]
tOHZ
tSKEW1
tENH
tDS
tDH
tOE
tA
tPAF
tWFF
tENS
OE
tSKEW2
W
D
4672
drw
13
tPAE
W
[D-n]
W
[D-n-1]
tA
tHF
tREF
W
[D-1]
W
D
tA
W
[D-n+1]
W
[m+4]
W
[D-n+2]
(1)
(2)
tENS
D-1
+
1
]
[
W
2
D-1
+
2
]
[
W
2
1
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PDF描述
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