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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT72235LB50TFB |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | CMOS SyncFIFOO 256 x 18, 512 x 18, 1024 x 18, 2048 x 18 and 4096 x 18 |
| 中文描述： | 的CMOS SyncFIFOO 256 × 18，512 × 18，1024 × 18，2048 × 18和4096 × 18 |
| 文件頁數(shù)： | 4/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 181K |
| 代理商： | IDT72235LB50TFB |
12
IDT72205LB/72215LB/72225LB/72235LB/72245LB CMOS SyncFIFO
256 x 18, 512 x 18, 1,024 x 18, 2,048 x 18 and 4,096 x 18
Commercial And Industrial Temperature Ranges
WCLK
tCLKH
tCLKL
tENS
tENH
tENS
tPAE
n + 1 words in FIFO
n words in FIFO
RCLK
tPAE
2766 drw 14
NOTE:
1. n =
PAE offset. Number of data words written into FIFO already = n.
Figure 12. Programmable Almost-Empty Flag Timing
WCLK
tCLKH
tCLKL
tENS
tENH
tENS
tPAF
D – m + 1 words
in FIFO memory
RCLK
tPAF
(1)
2766 drw 15
D – m words
in FIFO memory
(2)
(1)
D – m + 1 words in FIFO memory (1)
NOTES:
1. m =
PAF offset. D = maximum FIFO Depth. Number of data words written into FIFO memory = 256 - m + 1 for the IDT72205, 512 -m + 1 for the IDT72215,
1,024-m+1 for the IDT72225, 2,048-m+1 for the IDT72235 and 4,096-m+1 for the IDT72245.
2. 256 - m words in IDT72205, 512 - m words in IDT72215, 1,024 - m words in IDT72225, 2,048 - m words in IDT72235 and 4,096 - m words in IDT72245.
Figure 13. Programmable Almost-Full Flag Timing
WCLK
tENS
tENH
tENS
tHF
RCLK
tHF
D/2 words in
FIFO memory(1)
2766 drw 16
D/2 + 1 words in
FIFO memory(2)
D/2 words in FIFO memory
(1)
tCLKL
tCLKH
NOTE:
1. D = maximum FIFO Depth = 256 words for the IDT72205, 512 words for the IDT72215, 1,024 words for the IDT72225, 2,048 words for the IDT72235 and
4,096 words for the IDT72245.
Figure 14. Half-Full Flag Timing
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PDF描述 |
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