參數(shù)資料
型號: IDT71V65703S85BQI
廠商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類: DRAM
英文描述: 256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs
中文描述: 256K X 36 ZBT SRAM, 8.5 ns, PBGA165
封裝: 13 X 15 MM, FPBGA-165
文件頁數(shù): 6/24頁
文件大?。?/td> 741K
代理商: IDT71V65703S85BQI
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V65703S85PF 256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs
IDT71V65703S85PFI 256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs
IDT71V65903 256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs
IDT71V65903S75BG 256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs
IDT71V65903S75BGI 256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs
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參數(shù)描述
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IDT71V65703S85PF 功能描述:IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V65703S85PF8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V65703S85PFG 功能描述:IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP(14x14) 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI
IDT71V65703S85PFG8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR)