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參數(shù)資料
| 型號： | IDT71V65703S80BQI |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs |
| 中文描述： | 256K X 36 ZBT SRAM, 8 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, FPBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 9/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 741K |
| 代理商： | IDT71V65703S80BQI |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| IDT71V65703S80PF8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 80NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
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| IDT71V65703S80PFG8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 80NS 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
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