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參數資料
| 型號： | IDT71V416VS10PHG |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) |
| 中文描述： | 256K X 16 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO44 |
| 封裝： | 0.400 INCH, TSOP2-44 |
| 文件頁數： | 5/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 95K |
| 代理商： | IDT71V416VS10PHG |
6.42
IDT71V416VS, IDT71V416VL 3.3V CMOS Static RAM
4 Meg (256K x 16-Bit) Commercial and Industrial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics
(V
DD
= Mn. to Max., Commercial and Industrial Temperature Ranges)
5
71V416S/L10
(2)
71V416S/L12
71V416S/L15
Symbol
Parameter
Mn.
Max.
Min.
Max.
Mn.
Max.
Unit
READ CYCLE
t
RC
Read Cycle Time
10
____
12
____
15
____
ns
t
AA
Address Access Time
____
10
____
12
____
15
ns
t
ACS
Chip Select Access Time
____
10
____
12
____
15
ns
t
CLZ
(1)
Chip Select Lowto Output in Low-Z
4
____
4
____
4
____
ns
t
CHZ
(1)
Chip Select High to Output in High-Z
____
5
____
6
____
7
ns
t
OE
Output Enable Lowto Output Valid
____
5
____
6
____
7
ns
t
OLZ
(1)
Output Enable Lowto Output in Low-Z
0
____
0
____
0
____
ns
t
OHZ
(1)
Output Enable High to Output in High-Z
____
5
____
6
____
7
ns
t
OH
Output Hold fromAddress Change
4
____
4
____
4
____
ns
t
BE
Byte Enable Lowto Output Valid
____
5
____
6
____
7
ns
t
BLZ
(1)
Byte Enable Lowto Output in Low-Z
0
____
0
____
0
____
ns
t
BHZ
(1)
Byte Enable High to Output in High-Z
____
5
____
6
____
7
ns
WRITE CYCLE
t
WC
Write Cycle Time
10
____
12
____
15
____
ns
t
AW
Address Valid to End of Write
8
____
8
____
10
____
ns
t
CW
Chip Select Lowto End of Write
8
____
8
____
10
____
ns
t
BW
Byte Enable Lowto End of Write
8
____
8
____
10
____
ns
t
AS
Address Set-up Time
0
____
0
____
0
____
ns
t
WR
Address Hold fromEnd of Write
0
____
0
____
0
____
ns
t
WP
Write Pulse Width
8
____
8
____
10
____
ns
t
DW
Data Valid to End of Write
5
____
6
____
7
____
ns
t
DH
Data Hold Time
0
____
0
____
0
____
ns
t
OW
(1)
Write Enable High to Output in Low-Z
3
____
3
____
3
____
ns
t
WHZ
(1)
Write Enable Lowto Output in High-Z
____
6
____
7
____
7
ns
6478 tbl 10
Timing Waveform of Read Cycle No. 1
(1,2,3)
NOTE:
1. This parameter is guaranteed with the AC Load (Figure 2) by device characterization, but is not production tested.
2. Low power 10ns (L10) speed 0oC to +70oC temperature range only.
DATA
OUT
ADDRESS
t
RC
t
AA
t
OH
DATA
OUT
VALID
PREVIOUS DATA
OUT
VALID
t
OH
6478d06
NOTES:
1.
WE
is HIGH for Read Cycle.
2. Device is continuously selected,
CS
is LOW.
3.
OE
,
BHE
, and
BLE
are LOW.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V416VS10PHGI | 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) |
| IDT71V416YL10BEG | 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) |
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| IDT71V416YL10PHG | 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IDT71V416VS10PHG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| IDT71V416VS10PHI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| IDT71V416VS10PHI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| IDT71V416VS10Y | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 44SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| IDT71V416VS10Y8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 44SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
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