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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT71V416VL10YGI |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) |
| 中文描述： | 3.3V的CMOS靜態(tài)RAM 4梅格（256K x 16位） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/9頁(yè) |
| 文件大小： | 95K |
| 代理商： | IDT71V416VL10YGI |
6.42
IDT71V416VS, IDT71V416VL 3.3V CMOS Static RAM
4 Meg (256K x 16-Bit) Commercial and Industrial Temperature Ranges
Timing Waveform of Write Cycle No. 2 (
CS
Controlled Timing)
(1,3)
7
NOTES:
1. A write occurs during the overlap of a LOW
CS
, LOW
BHE
or
BLE
, and a LOW
WE
.
2. During this period, I/O pins are in the output state, and input signals must not be applied.
3. If the
CS
LOW or
BHE
and
BLE
LOW transition occurs simultaneously with or after the
WE
LOW transition, the outputs remain in a high-impedance state.
Timing Waveform of Write Cycle No. 3
(
BHE
,
BLE
Controlled Timing)
(1,3)
ADDRESS
CS
DATA
IN
DATA
IN
VALID
t
WC
t
AS
(2)
t
CW
t
WR
WE
t
AW
DATA
OUT
t
DW
t
DH
BHE, BLE
t
BW
t
WP
6478 d09
ADDRESS
CS
DATA
IN
DATA
IN
VALID
t
WC
t
AS
(2)
t
CW
t
WR
WE
t
AW
DATA
OUT
t
DW
t
DH
BHE, BLE
t
BW
t
WP
6478 d10
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PDF描述 |
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