參數(shù)資料
型號(hào)： IDT71V416S12BEG
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit)
中文描述： 256K X 16 STANDARD SRAM, 12 ns, PBGA48
封裝： 9 X 9 MM, BGA-48
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大?。?/td> 90K
代理商： IDT71V416S12BEG
6.42
IDT71V416S, IDT71V416L, 3.3V CMOS Static RAM
4 Meg (256K x 16-Bit) Commercial and Industrial Temperature Ranges
3
Absolute Maximum Ratings
(1)
Recommended Operating
Temperature and Supply
Voltage
Recommended DC Operating
Conditions
NOTE:
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUMRATINGS may
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional
operation of the device at these or any other conditions above those indicated
in the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute
maximumrating conditions for extended periods may affect reliability.
NOTES:
1. VIH (max.) = VDD+2V for pulse width less than 5ns, once per cycle.
2. VIL (mn.) = –2V for pulse width less than 5ns, once per cycle.
Truth Table
(1)
NOTE:
1. H = V
IH
, L = V
IL
, X = Don't care.
Symbol
Rating
Value
Unit
V
DD
Supply Voltage Relative to V
SS
-0.5 to +4.6
V
V
IN,
V
OUT
Terminal Voltage Relative to
V
SS
-0.5 to V
DD
+0.5
V
T
BIAS
Temperature Under Bias
-55 to +125
o
C
T
STG
Storage Temperature
-55 to +125
o
C
P
T
Power Dissipation
1
W
I
OUT
DC Output Current
50
mA
3624 tbl 04
Grade
Temperature
V
SS
V
DD
Commercial
0
O
C to +70
O
C
0V
See Below
Industrial
–40
O
C to +85
O
C
0V
See Below
3624 tbl 05
Symbol
Parameter
Mn.
Typ.
Max.
Unit
V
DD
Supply Voltage
3.0
3.3
3.6
V
V
SS
Ground
0
0
0
V
V
IH
Input High Voltage
2.0
____
V
DD
+0.3
(1)
V
V
IL
Input Low Voltage
-0.3
(2)
____
0.8
V
3624 tbl 06
CS
OE
WE
BLE
BHE
I/O
0-
I/O
7
I/O
8-
I/O
15
Function
H
X
X
X
X
High-Z
High-Z
Deselected - Standby
L
L
H
L
H
DATA
OUT
High-Z
Low Byte Read
L
L
H
H
L
High-Z
DATA
OUT
High Byte Read
L
L
H
L
L
DATA
OUT
DATA
OUT
Word Read
L
X
L
L
L
DATA
IN
DATA
IN
Word Write
L
X
L
L
H
DATA
IN
High-Z
Low Byte Write
L
X
L
H
L
High-Z
DATA
IN
High Byte Write
L
H
H
X
X
High-Z
High-Z
Outputs Disabled
L
X
X
H
H
High-Z
High-Z
Outputs Disabled
3624 tbl 03
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V416S12YG N-Channel,Digital FET
IDT71V416S15BEG 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit)
IDT71V416S15YG 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit)
IDT71V416S10YGI 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit)
IDT71V416L10YGI 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit)
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參數(shù)描述
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IDT71V416S12BEI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 12NS 48FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:CAV24C32WE-GT3OSTR
IDT71V416S12BEI8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 12NS 48FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤(pán)
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IDT71V416S12PH/3142 功能描述:IC SRAM 4MBIT 12NS 44TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
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