參數(shù)資料
型號: IDT71V416L10PHG
廠商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類: DRAM
英文描述: Power Resistor; Series:MP900; Resistance:2kohm; Resistance Tolerance:+/- 1 %; Power Rating:30W; Voltage Rating:250V; Temperature Coefficient:-20 to +80 ppm; Package/Case:TO-220; Leaded Process Compatible:Yes
中文描述: 256K X 16 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO44
封裝: 0.400 INCH, TSOP2-44
文件頁數(shù): 8/9頁
文件大?。?/td> 90K
代理商: IDT71V416L10PHG
6.42
8
IDT71V416S, IDT71V416L, 3.3V CMOS Static RAM
4 Meg (256K x 16-Bit) Commercial and Industrial Temperature Ranges
Ordering Information
X
Power
XX
Speed
XXX
Package
X
Process/
Temperature
Range
Blank
I
Commercial (0°C to +70°C)
Industrial (-40°C to +85°C)
Restricted hazardous
substance device
Y
PH
BE
44-pin, 400-mil SOJ (SO44-1)
44-pin TSOP Type II (SO44-2)
48 Ball Grid Array
10*
12
15
71V416
Device
Type
IDT
Speed in nanoseconds
3624 drw 11a
S
L
Standard Power
Low Power
* Commercial only for low power 10ns (L10) speed grade.
X
G
X
Die
Revistion
Blank
First generation or current
stepping being shipped
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PDF描述
IDT71V416L10PHGI 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit)
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參數(shù)描述
IDT71V416L10PHG8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M(256K x 18) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP(14x20) 包裝:托盤
IDT71V416L10PHGI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR)
IDT71V416L10PHGI8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M(256K x 18) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP(14x20) 包裝:托盤
IDT71V416L10Y 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 44SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V416L10Y8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 44SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040