參數資料
型號: IDT71V3577YS80PFGI
廠商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類: DRAM
英文描述: 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
中文描述: 128K X 36 CACHE SRAM, 8 ns, PQFP100
封裝: 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100
文件頁數: 18/22頁
文件大?。?/td> 521K
代理商: IDT71V3577YS80PFGI
6.42
18
IDT71V3577, IDT71V3579, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
3.3V I/O, Flow-Through Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect Commercial and Industrial Temperature Ranges
NOTES:
1. ZZ input is LOW,
ADV
is HIGH and
LBO
is Don't Care for this cycle.
2. (Ax) represents the data for address Ax, etc.
3. For read cycles,
ADSP
and
ADSC
function identically and are therefore interchangable.
Non-Burst Read Cycle Timing Waveform
CLK
ADSP
GW
,
BWE
,
BW
x
CE
,
CS
1
CS
0
ADDRESS
ADSC
DATA
OUT
OE
Av
Aw
Ax
Ay
Az
(Av)
(Aw)
(Ax)
(Ay)
5280 drw 10
,
Non-Burst Write Cycle Timing Waveform
CLK
ADSP
GW
CE
,
CS
1
CS
0
ADDRESS
ADSC
DATA
IN
Av
Aw
Ax
Az
Ay
(Av)
(Aw)
(Ax)
(Az)
(Ay)
5280 drw 11
,
NOTES:
1. ZZ input is LOW,
ADV
and
OE
are HIGH, and
LBO
is Don't Care for this cycle.
2. (Ax) represents the data for address Ax, etc.
3. Although only
GW
writes are shown, the functionality of
BWE
and
BW
x together is the same as
GW
.
4. For write cycles,
ADSP
and
ADSC
have different limtations.
相關PDF資料
PDF描述
IDT71V3577YS85BGG 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V3577YS85BGGI 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V3577YS85BQG 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V3579S80BQGI 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V3579S80PFG 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
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參數描述
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IDT71V3577YS80PFI8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 80NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V3577YS85PF 功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V3577YS85PF8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V3577YS85PFG 功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M(256K x 18) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP(14x20) 包裝:托盤