參數資料
型號: IDT71V3577SA80BGGI
廠商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類: DRAM
英文描述: 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
中文描述: 128K X 36 CACHE SRAM, 8 ns, PBGA119
封裝: BGA-119
文件頁數: 15/22頁
文件大?。?/td> 521K
代理商: IDT71V3577SA80BGGI
6.42
IDT71V3577, IDT71V3579, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
3.3V I/O, Flow-Through Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect Commercial and Industrial Temperature Ranges
15
Timing Waveform of Write Cycle No. 1 -
GW
Controlled
(1,2,3)
A
C
A
A
t
C
t
S
t
H
t
C
t
C
t
H
t
S
A
A
A
A
D
O
O
t
H
t
S
I
I
I
t
t
O
D
I
t
H
O
C
,
1
t
H
G
t
S
(
I
I
I
I
I
t
S
(
A
I
t
S
(
(
O
5
G
,
N
1
B
L
2
a
L
A
i
3
0
C
C
1
s
C
C
1
0
相關PDF資料
PDF描述
IDT71V3577SA80BQGI 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V3577SA80PFGI 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V3577YS75BGG 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V3577YS75BGGI 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V3577YS75BQG 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
相關代理商/技術參數
參數描述
IDT71V3577SA80BGGI8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 80NS 119BGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V3577SA80BQ 功能描述:IC SRAM 4MBIT 80NS 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V3577SA80BQ8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 80NS 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V3577SA80BQG 功能描述:IC SRAM 4MBIT 80NS 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V3577SA80BQGI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 80NS 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040