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參數(shù)資料
| 型號： | IDT71V3576S133BGI |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect |
| 中文描述： | 128K X 36 CACHE SRAM, 4.2 ns, PBGA119 |
| 封裝： | BGA-119 |
| 文件頁數(shù)： | 20/22頁 |
| 文件大小： | 283K |
| 代理商： | IDT71V3576S133BGI |
6.42
IDT71V3576, IDT71V3578, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
3.3V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect
Commercial and Industrial Temperature Ranges
7
Pin Configuration 256K x 18, 119 BGA
Pin Configuration 128K x 36, 119 BGA
Top View
NOTES:
1. R5 can either be directly connected to VDD, or connected to an input voltage
≥ VIH, or left unconnected.
2. These pins are NC for the "S" version or the JTAG signal listed for the "SA" version. Note: If NC, these pins can either be tied to VSS, VDD or left floating.
3.
TRST is offered as an optional JTAG Reset if required in the application. If not needed, can be left floating and will internally be pulled to VDD.
4. T7 can be left unconnected and the device will always remain in active mode.
1
234567
A
VDDQ
A6
A4
ADSP
A8
A16
VDDQ
B
NC
CS0
A3
ADSC
A9
CS1
NC
C
A7
A2
VDD
A12
A15
NC
D
I/O16
I/OP3
VSS
NC
VSS
I/OP2
I/O15
E
I/O17
I/O18
VSS
CE
VSS
I/O13
I/O14
F
VDDQ
I/O19
VSS
OE
VSS
I/O12
VDDQ
G
I/O20
I/O21
BW3
ADV
BW2
I/O11
I/O10
H
I/O22
I/O23
VSS
GW
VSS
I/O9
I/O8
J
VDDQ
VDD
NC
VDD
NC
VDD
VDDQ
K
I/O24
I/O26
VSS
CLK
VSS
I/O6
I/O7
L
I/O25
I/O27
BW4
NC
BW1
I/O4
I/O5
M
VDDQ
I/O28
VSS
BWE
VSS
I/O3
VDDQ
N
I/O29
I/O30
VSS
A1
VSS
I/O2
I/O1
P
I/O31
I/OP4
VSS
A0
VSS
I/O0
I/OP1
R
NC
A5
LBO
VDD
A13
T
NC
A10
A11
A14
NC
U
VDDQ
NC/TMS(2) NC/TDI(2) NC/TCK(2)
NC/TDO(2) NC/
TRST(2,3) VDDQ
5279 drw 04
VDD /NC(1)
NC
,
ZZ(4)
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A
VDDQ
A6
A4
ADSP
A8
A16
VDDQ
B
NC
CS0
A3
ADSC
A9
CS1
NC
C
A7
A2
VDD
A13
A17
NC
D
I/O8
NC
VSS
NC
VSS
I/O7
NC
E
NC
I/O9
VSS
CE
VSS
NC
I/O6
F
VDDQ
NC
VSS
OE
VSS
I/O5
VDDQ
G
NC
I/O10
BW2
ADV
NC
I/O4
H
I/O11
NC
VSS
GW
VSS
I/O3
NC
J
VDDQ
VDD
NC
VDD
NC
VDD
VDDQ
K
NC
I/O12
VSS
CLK
VSS
NC
I/O2
L
I/O13
NC
BW1
I/O1
NC
M
VDDQ
I/O14
VSS
BWE
VSS
NC
VDDQ
N
I/O15
NC
VSS
A1
VSS
I/O0
NC
P
NC
I/OP2
VSS
A0
VSS
NC
I/OP1
R
NC
A5
LBO
VDD
A12
T
NC
A10
A15
NC
A14
A11
NC
U
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5279 drw 05
NC
VDD /NC(1)
VSS
,
ZZ(4)
NC/TMS(2) NC/TDI(2) NC/TCK(2)
NC/TDO(2) NC/
TRST(2,3)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V3576S133BQ | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect |
| IDT71V3576S133BQI | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect |
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| IDT71V3576S150BGI | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| IDT71V3576S133PF8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| IDT71V3576S133PFG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤 |
| IDT71V3576S133PFG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤 |
| IDT71V3576S133PFGI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
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