參數(shù)資料
型號(hào)： IDT71V35761YSA166BGI
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： Flat / Ribbon Cable; Number of Conductors:16; Pitch Spacing:0.05"; Conductor Size AWG:28; No. Strands x Strand Size:7 x 36; Conductor Material:Copper; Jacket Color:Gray; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC) RoHS Compliant: Yes
中文描述： 128K X 36 CACHE SRAM, 3.5 ns, PBGA119
封裝： BGA-119
文件頁(yè)數(shù)： 1/24頁(yè)
文件大?。?/td> 741K
代理商： IDT71V35761YSA166BGI
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V35781YSA166BGI Flat / Ribbon Cable; Number of Conductors:16; Pitch Spacing:0.05"; Conductor Size AWG:28; No. Strands x Strand Size:7 x 36; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes
IDT71V35761YSA166BQ Flat / Ribbon Cable; Number of Conductors:16; Pitch Spacing:0.05"; Conductor Size AWG:28; No. Strands x Strand Size:7 x 36; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes
IDT71V35781YSA166BQ Flat / Ribbon Cable; Number of Conductors:20; Pitch Spacing:0.05"; Conductor Size AWG:28; No. Strands x Strand Size:7 x 36; Conductor Material:Copper; Jacket Color:Gray; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC) RoHS Compliant: Yes
IDT71V35781YS200PF CABLE, COAX, BLACK, 4.15MM, 500M; Length, Reel (Imperial):1640.4ft; Attenuation, 1 GHz:33dB; Attenuation, 10 MHz:4dB; Attenuation, 200 MHz:14dB; Attenuation, 400MHz:20dB; Capacitance:54pF/m; Diameter, External:4.15mm; Impedance:75R; RoHS Compliant: Yes
IDT71V35761YS200PFI 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
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參數(shù)描述
IDT71V35761YSA166BGI8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
IDT71V35761YSA166BQ 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V35761YSA166BQ8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V35761YSA166BQI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V35761YSA166BQI8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
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