- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄353752 > IDT71V35761SA166PFI (Integrated Device Technology, Inc.) Ceramic Conformally Coated / Radial 'Standard & High Voltage Golden Max'; Capacitance [nom]: 820pF; Working Voltage (Vdc)[max]: 1000V; Capacitance Tolerance: +/-10%; Dielectric: Multilayer Ceramic, Conformally Coated; Temperature Coefficient: X7R; Lead Style: Radial Leaded; Lead Dimensions: 0.200" Lead Spacing; Body Dimensions: 0.300" x 0.390" x 0.200"; Container: Bag; Qty per Container: 250 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IDT71V35761SA166PFI |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | Ceramic Conformally Coated / Radial 'Standard & High Voltage Golden Max'; Capacitance [nom]: 820pF; Working Voltage (Vdc)[max]: 1000V; Capacitance Tolerance: +/-10%; Dielectric: Multilayer Ceramic, Conformally Coated; Temperature Coefficient: X7R; Lead Style: Radial Leaded; Lead Dimensions: 0.200" Lead Spacing; Body Dimensions: 0.300" x 0.390" x 0.200"; Container: Bag; Qty per Container: 250 |
| 中文描述： | 128K的× 36，256 × 18 3.3同步SRAM的3.3V的I / O的輸出脈沖計數(shù)器流水線，單周期取消 |
| 文件頁數(shù)： | 19/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 741K |
| 代理商： | IDT71V35761SA166PFI |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| IDT71V35761SA183BG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 183MHZ 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
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