參數(shù)資料
型號(hào)： IDT71V35761S183BQI
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： RECTIFIER FAST-RECOVERY SINGLE 3A 600V 150A-ifsm 1.7V-vf 75ns 5uA-ir DO-201AD 5K/REEL-13
中文描述： 128K X 36 CACHE SRAM, 3.3 ns, PBGA165
封裝： FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 16/24頁(yè)
文件大?。?/td> 741K
代理商： IDT71V35761S183BQI
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V35781S183BQI RECTIFIER FAST-RECOVERY SINGLE 3A 800V 150A-ifsm 1.7V-vf 75ns 5uA-ir DO-201AD 1K/BULK
IDT71V35781YS183BQI RECTIFIER FAST-RECOVERY SINGLE 3A 800V 150A-ifsm 1.7V-vf 75ns 5uA-ir DO-201AD 5K/REEL-13
IDT71V35761SA183BQI RECTIFIER FAST-RECOVERY SINGLE 3A 1000V 150A-ifsm 1.7V-vf 75ns 5uA-ir DO-201AD 1K/BULK
IDT71V35781SA183BQI RECTIFIER FAST-RECOVERY SINGLE 3A 1000V 150A-ifsm 1.7V-vf 75ns 5uA-ir DO-201AD 5K/REEL-13
IDT71V35761YSA183BQI RECTIFIER FAST-RECOVERY SINGLE 1A 50V 30A-ifsm 1V-vf 50ns 5uA-ir DO-41 5K/AMMO
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參數(shù)描述
IDT71V35761S183BQI8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 183MHZ 165FBGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類(lèi)型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):497-5040
IDT71V35761S183PF 功能描述:IC SRAM 4MBIT 183MHZ 100TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類(lèi)型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):497-5040
IDT71V35761S183PF8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 183MHZ 100TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類(lèi)型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):497-5040
IDT71V35761S183PFG 功能描述:IC SRAM 4MBIT 183MHZ 100TQFP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤(pán)
IDT71V35761S183PFG8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 183MHZ 100TQFP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤(pán)
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