參數(shù)資料
型號(hào)： IDT71V3559SA80BGI
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs
中文描述： 256K X 18 ZBT SRAM, 8 ns, PBGA119
封裝： 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119
文件頁數(shù)： 7/28頁
文件大?。?/td> 996K
代理商： IDT71V3559SA80BGI
6.42
IDT71V3557, IDT71V3559, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
ZBT Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
7
Pin Configuration 128K x 36, 119 BGA
Pin Configuration - 256K x 18, 119 BGA
Top View
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NOTES:
1. R5 and J5 do not have to be directly connected to V
SS
as long as the input voltage is < V
IL.
2. J3 does not have to be directly connected directly to V
DD
as long as the input voltage is
≥
V
IH
.
3. G4 and A4 are reserved for future 8Mand 16Mrespectively.
4. These pins are NC for the "S" version and the JTAG signal listed for the "SA" version.
5.
TRST
is offered as an optional JTAG reset if requested in the application. If not needed, can be left floating and will internally be pulled to V
DD.
6. Pin T7 supports ZZ (sleep mode) for the latest die revisions.
1
2
3
4
5
6
7
A
V
DDQ
A
6
A
4
A
8
A
16
V
DDQ
B
NC
CE
2
A
3
ADV/
LD
A
9
CE
2
NC
C
A
7
A
2
V
DD
A
12
A
15
NC
D
I/O
16
I/O
P3
V
SS
NC
V
SS
I/O
P2
I/O
15
E
I/O
17
I/O
18
V
SS
V
SS
I/O
13
I/O
14
F
V
DDQ
I/O
19
V
SS
OE
V
SS
I/O
12
V
DDQ
G
I/O
20
I/O
21
BW
3
BW
2
I/O
11
I/O
10
H
I/O
22
I/O
23
V
SS
R/
W
V
SS
I/O
9
I/O
8
J
V
DDQ
V
DD
V
DD
V
DD
V
DDQ
K
I/O
24
I/O
26
V
SS
CLK
V
SS
I/O
6
I/O
7
L
I/O
25
I/O
27
BW
4
NC
BW
1
I/O
4
I/O
5
M
V
DDQ
I/O
28
V
SS
CEN
V
SS
I/O
3
V
DDQ
N
I/O
29
I/O
30
V
SS
A
1
V
SS
I/O
2
I/O
1
P
I/O
31
I/O
P4
V
SS
A
0
V
SS
I/O
0
I/O
P1
R
NC
A
5
LBO
V
DD
A
13
T
NC
NC
A
10
A
11
A
14
NC
NC/ZZ
(6)
U
V
DDQ
NC/TMS
(4)
NC/TDI
(4)
NC/TCK
(4)
NC/TDO
(4)
NC/
TRST
(4,5)
V
DDQ
5282 drw 13A
V
SS(1)
NC
NC(3)
CE
1
NC(3)
V
DD(2)
V
SS(1)
,
NC
1
2
3
4
5
6
7
A
V
DDQ
A
6
A
4
NC(3)
A
8
A
16
V
DDQ
B
NC
CE2
A
3
ADV/
LD
A
9
CE
2
NC
C
A
7
A
2
V
DD
A
13
A
17
NC
D
I/O
8
NC
V
SS
NC
V
SS
I/O
P1
NC
E
NC
I/O
9
V
SS
V
SS
NC
I/O
7
F
V
DDQ
NC
V
SS
OE
V
SS
I/O
6
V
DDQ
G
NC
I/O
10
BW
2
NC
I/O
5
H
I/O
11
NC
V
SS
R/
W
V
SS
I/O
4
NC
J
V
DDQ
V
DD
V
DD
V
DD
V
DDQ
K
NC
I/O
12
V
SS
CLK
V
SS
NC
I/O
3
L
I/O
13
NC
NC
BW
1
I/O
2
NC
M
V
DDQ
I/O
14
V
SS
CEN
V
SS
NC
V
DDQ
N
I/O
15
NC
V
SS
A
1
V
SS
I/O
1
NC
P
NC
I/O
P2
V
SS
A
0
V
SS
NC
I/O
0
R
NC
A
5
LBO
V
DD
A
12
T
NC
A
10
A
15
NC
A
14
A
11
NC/ZZ
(6)
U
V
DDQ
NC/TMS
(4)
NC/TDI
(4)
NC/TCK
(4)
NC/TDO
(4)
NC/TRST
(4,5)
V
DDQ
5282 drw 13B
NC
SS(1)
V
V
SS
V
SS
CE
1
NC(3)
V
DD(2)
V
SS(1)
,
NC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V3559SA80BQ 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs
IDT71V3557SA80PF 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs
IDT71V3559SA80PF 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs
IDT71V3557SA80PFI 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs
IDT71V3559SA80PFI RAC5-SB(-E)(-ST) Series - Powerline Regulated AC-DC Converters; Output Voltage (Vdc): 24V; Features: Very Compact AC-DC Power Supply; 5 Watt PCB Mount Package; Universal Input Voltage Range; 3000VAC Isolation; Low Output Ripple and Noise; Short Circuit Protected; UL Certified
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT71V3559SA80BQ 功能描述:IC SRAM 4MBIT 80NS 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V3559SA80BQ8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 80NS 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V3559SA80BQG 功能描述:IC SRAM 4MBIT 80NS 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V3559SA80BQG8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 80NS 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V3559SA80BQGI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 80NS 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
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