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參數(shù)資料
| 型號： | IDT71V3558SA166PFG |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | Ceramic Conformally Coated / Radial 'Standard & High Voltage Golden Max'; Capacitance [nom]: 75pF; Working Voltage (Vdc)[max]: 1000V; Capacitance Tolerance: +/-5%; Dielectric: Multilayer Ceramic, Conformally Coated; Temperature Coefficient: C0G (NP0); Lead Style: Radial Leaded; Lead Dimensions: 0.200" Lead Spacing; Body Dimensions: 0.300" x 0.390" x 0.200"; Container: Tape & Reel; Qty per Container: 1500 |
| 中文描述： | 128K的× 36，256 × 18 3.3同步ZBT SRAM的3.3V的I / O的脈沖計數(shù)器輸出流水線 |
| 文件頁數(shù)： | 22/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 1010K |
| 代理商： | IDT71V3558SA166PFG |
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6.42
22
IDT71V3556, IDT71V3558, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with
ZBT
Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
JTAG Interface Specification (SA Version only)
TCK
Device Inputs
(1)
/
TDI/TMS
Device Outputs
(2)
/
TDO
TRST
(
3)
t
JCD
t
JDC
t
JRST
t
JS
t
JH
t
JCYC
t
JRSR
t
JF
t
JCL
t
JR
t
JCH
M5281 drw 01
x
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Units
t
J CYC
JTAG Clock Input Period
100
____
ns
t
JCH
JTAG Clock HIGH
40
____
ns
t
JCL
JTAG Clock Low
40
____
ns
t
JR
JTAG Clock Rise Time
____
5
(1)
ns
t
JF
JTAG Clock Fall Time
____
5
(1)
ns
t
JRST
JTAG Reset
50
____
ns
t
J RSR
JTAG Reset Recovery
50
____
ns
t
JCD
JTAG Data Output
____
20
ns
t
JDC
JTAG Data Output Hold
0
____
ns
t
JS
JTAG Setup
25
____
ns
t
JH
JTAG Hold
25
____
ns
I5281 tbl 01
Register Name
Bit Size
Instruction (IR)
4
Bypass (BYR)
1
JTAG Identification (JIDR)
32
Boundary Scan (BSR)
Note (1)
I5281 tbl 03
NOTES:
1. Device inputs = All device inputs except TDI, TMS and
TRST
.
2. Device outputs = All device outputs except TDO.
3. During power up,
TRST
could be driven low or not be used since the JTAG circuit resets automatically.
TRST
is an optional JTAG reset.
NOTE:
1. The Boundary Scan Descriptive Language (BSDL) file for this device is available
by contacting your local IDT sales representative.
JTAG AC Electrical
Characteristics
(1,2,3,4)
Scan Register Sizes
NOTES:
1. Guaranteed by design.
2. AC Test Load (Fig. 1) on external output signals.
3. Refer to AC Test Conditions stated earlier in this document.
4. JTAG operations occur at one speed (10MHz). The base device may run at any speed specified in this datasheet.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V3556S100BGG | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
| IDT71V3556S100BGGI | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
| IDT71V3556S100BQG | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
| IDT71V3556S100BQGI | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
| IDT71V3556S100PFGI | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT71V3558SA200BQG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 200MHZ 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT71V3558SA200BQG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 200MHZ 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤 |
| IDT71V3558SA200BQGI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 200MHZ 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT71V3558SA200BQGI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 200MHZ 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT71V3558XS133PF | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
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