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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT71V3558S166PFG |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | Ceramic Conformally Coated / Radial 'Standard & High Voltage Golden Max'; Capacitance [nom]: 0.68uF; Working Voltage (Vdc)[max]: 50V; Capacitance Tolerance: -20+80%; Dielectric: Multilayer Ceramic, Conformally Coated; Temperature Coefficient: Z5U; Lead Style: Radial Leaded; Lead Dimensions: 0.200" Lead Spacing; Body Dimensions: 0.300" x 0.390" x 0.200"; Container: Bag; Qty per Container: 250 |
| 中文描述： | 256K X 18 ZBT SRAM, 3.5 ns, PQFP100 |
| 封裝： | 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/28頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1010K |
| 代理商： | IDT71V3558S166PFG |
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6.42
8
IDT71V3556, IDT71V3558, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with
ZBT
Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Pin Configuration - 128K x 36, 165 fBGA
Pin Configuration - 256K x 18, 165 fBGA
1
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A
NC
(2)
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CE1
BW
3
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CE
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CEN
ADV/
LD
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(2)
A
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NC
B
NC
A
6
CE
2
BW
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BW
1
CLK
R/
W
OE
NC
(2)
A
9
NC
(2)
C
I/O
P3
NC
V
DDQ
V
SS
V
SS
V
SS
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SS
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SS
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DDQ
NC
I/O
P2
D
I/O
17
I/O
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V
DDQ
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DD
V
SS
V
SS
V
SS
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DD
V
DDQ
I/O
15
I/O
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E
I/O
19
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18
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
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SS
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SS
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SS
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DD
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11
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G
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H
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DD
(1)
V
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NC
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DD
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SS
V
SS
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SS
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NC
NC
NC/ZZ
(5)
J
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SS
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7
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K
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V
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DD
V
SS
V
SS
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DD
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I/O
5
I/O
4
L
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I/O
28
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
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I/O
3
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M
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V
DDQ
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DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
1
I/O
0
N
I/O
P4
NC
V
DDQ
V
SS
NC/
TRST
(3,4)
NC
V
DD
(1)
V
SS
V
DDQ
NC
I/O
P1
P
NC
NC
(2)
A
5
A
2
NC/TDI
(3)
A
1
NC/TDO
(3)
A
10
A
13
A
14
NC
R
LBO
NC
(2)
A
4
A
3
NC/TMS
(3)
A
0
NC/TCK
(3)
A
11
A
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A
15
A
16
5281 tbl 25
1
2
3
4
5
6
7
8
9
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A
NC
(2)
A
7
CE
1
BW
2
NC
CE
2
CEN
ADV
/LD
NC
(2)
A
8
A
10
B
NC
A
6
CE
2
NC
BW
1
CLK
R/
W
OE
NC
(2)
A
9
NC
(2)
C
NC
NC
V
DDQ
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
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NC
I/O
P1
D
NC
I/O
8
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DDQ
V
DD
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SS
V
SS
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SS
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DD
V
DDQ
NC
I/O
7
E
NC
I/O
9
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
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NC
I/O
6
F
NC
I/O
10
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
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NC
I/O
5
G
NC
I/O
11
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
NC
I/O
4
H
V
DD
(1)
V
DD
(1)
NC
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
NC
NC
NC/ZZ
(5)
J
I/O
12
NC
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
3
NC
K
I/O
13
NC
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
2
NC
L
I/O
14
NC
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
1
NC
M
I/O
15
NC
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
0
NC
N
I/O
P2
NC
V
DDQ
V
SS
NC/
TRST
(3,4)
NC
V
DD
(1)
V
SS
V
DDQ
NC
NC
P
NC
NC
(2)
A
5
A
2
NC/TDI
(3)
A
1
NC/TDO
(3)
A
11
A
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A
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NC
R
LBO
NC
(2)
A
4
A
3
NC/TMS
(3)
A
0
NC/TCK
(3)
A
12
A
13
A
16
A
17
5281 tbl 25a
NOTES:
1. H1, H2, and N7 do not have to be directly connected to V
DD
as long as the input voltage is
≥
V
IH
.
2. A9, B9, B11, A1, R2 and P2 are reserved for future 9M 18M 36M 72M 144Mand 288Mrespectively.
3. These pins are NC for the "S" version or the JTAG signal listed for the "SA" version.
4.
TRST
is offered as an optional JTAG reset if required in the application. If not needed, can be left floating and will internally be pulled to V
DD
.
5. Pin H11 does not have to be connected directly to V
SS
as long as the input voltage is
≤
V
IL
; on the latest die revision this pin supports ZZ (sleep mode).
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V3558SA166PFG | Ceramic Conformally Coated / Radial 'Standard & High Voltage Golden Max'; Capacitance [nom]: 75pF; Working Voltage (Vdc)[max]: 1000V; Capacitance Tolerance: +/-5%; Dielectric: Multilayer Ceramic, Conformally Coated; Temperature Coefficient: C0G (NP0); Lead Style: Radial Leaded; Lead Dimensions: 0.200" Lead Spacing; Body Dimensions: 0.300" x 0.390" x 0.200"; Container: Tape & Reel; Qty per Container: 1500 |
| IDT71V3556S100BGG | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
| IDT71V3556S100BGGI | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
| IDT71V3556S100BQG | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
| IDT71V3556S100BQGI | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| IDT71V3558S166PFG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤 |
| IDT71V3558S166PFGI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT71V3558S166PFGI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT71V3558S166PFI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| IDT71V3558S166PFI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
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