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參數(shù)資料
| 型號： | IDT71V3558S166BQG |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
| 中文描述： | 256K X 18 ZBT SRAM, 3.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 7/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 1010K |
| 代理商： | IDT71V3558S166BQG |
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6.42
IDT71V3556, IDT71V3558, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with
ZBT
Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Pin Configuration - 128K x 36, 119 BGA
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OE
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BW
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R/
W
V
SS
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J
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DDQ
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DD
V
DD
V
DD
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DDQ
K
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V
SS
CLK
V
SS
I/O
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BW
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BW
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T
NC
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NC/ZZ(5)
U
V
DDQ
V
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5281 drw 13A
V
DD(1)
NC
NC(2)
CE
1
NC(2)
V
DD(1)
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DD(1)
,
NC/TMS
(3)
NC/TDI
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NC/TCK
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NC/
TRST
(3,4)
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NC(2)
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LD
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C
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NC
A
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NC/ZZ(5)
U
V
DDQ
V
DDQ
5281drw 13B
NC
DD(1)
V
V
SS
V
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CE
1
NC(2)
V
DD(1)
V
DD(1)
,
NC/TMS
(3)
NC/
TRST
(3,4)
NC/TDO
(3)
NC/TCK
(3)
NC/TDI
(3)
NC
Pin Configuration - 256K x 18, 119 BGA
Top View
Top View
NOTES:
1. J3, J5, and R5 do not have to be directly connected to V
DD
as long as the input voltage is
≥
V
IH
.
2. G4 and A4 are reserved for future 8Mand 16Mrespectively.
3. These pins are NC for the "S" version or the JTAG signal listed for the "SA" version.
4.
TRST
is offered as an optional JTAG reset if required in the application. If not needed, can be left floating and will internally be pulled to V
DD
.
5. Pin T7 does not have to be connected directly to V
SS
as long as the input voltage is
≤
V
IL
; on the latest die revision this pin supports ZZ (sleep mode).
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V3558S166BQGI | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
| IDT71V3558S166PFGI | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
| IDT71V3558S200BGG | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
| IDT71V3558S200BGGI | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
| IDT71V3558S200BQG | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT71V3558S166PF | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| IDT71V3558S166PF8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| IDT71V3558S166PFG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT71V3558S166PFG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤 |
| IDT71V3558S166PFGI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
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