參數(shù)資料
型號(hào)： IDT71V3557SA85BQ
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs
中文描述： 128K X 36 ZBT SRAM, 8.5 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 8/28頁(yè)
文件大?。?/td> 996K
代理商： IDT71V3557SA85BQ
6.42
8
IDT71V3557, IDT71V3559, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
ZBT Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Pin Configuration 128K x 36, 165 fBGA
Pin Configuration - 256K x 18, 165 fBGA
1
2
3
NOTES:
1. H1 and N7 do not have to be directly connected to V
SS
as long as the input voltage is < V
IL.
2. H2 does not have to be directly connected directly to V
DD
as long as the input voltage is
≥
V
IH
.
3. A9, B9, B11, A1, R2, and P2 are reserved for future 9M 18M 36M 72M 144M and 288Mrespectively.
4. These pins are NC for the "S" version and the JTAG signal listed for the "SA" version.
5.
TRST
is offered as an optional JTAG reset if requested in the application. If not needed, can be left floating and will internally be pulled to V
DD.
6. Pin H11 supports ZZ (sleep mode) for the latest die revisions.
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
A
NC
(3)
A
7
CE
1
BW
3
BW
2
CE
2
CEN
ADV
/LD
NC
(3)
A
8
NC
B
NC
A
6
CE
2
BW
4
BW
1
CLK
R/
W
OE
NC
(3)
A
9
NC
(3)
C
I/O
P3
NC
V
DDQ
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
DDQ
NC
I/O
P2
D
I/O
17
I/O
16
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
15
I/O
14
E
I/O
19
I/O
18
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
13
I/O
12
F
I/O
21
I/O
20
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
11
I/O
10
G
I/O
23
I/O
22
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
9
I/O
8
H
V
SS
(1)
V
DD
(2)
NC
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
NC
NC
NC/ZZ
(6)
J
I/O
25
I/O
24
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
7
I/O
6
K
I/O
27
I/O
26
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
5
I/O
4
L
I/O
29
I/O
28
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
3
I/O
2
M
I/O
31
I/O
30
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
1
I/O
0
N
I/O
P4
NC
V
DDQ
V
SS
NC/
TRST
(4,5)
NC
V
SS
(1)
V
SS
V
DDQ
NC
I/O
P1
P
NC
NC
(3)
A
5
A
2
NC/TDI
(4)
A
1
NC/TDO
(4)
A
10
A
13
A
14
NC
R
LBO
NC
(3)
A
4
A
3
NC/TMS
(4)
A
0
NC/TCK
(4)
A
11
A
12
A
15
A
16
5282tbl 25
4
5
6
7
8
9
10
11
A
NC
(3)
A
7
CE
1
BW
2
NC
CE
2
CEN
ADV
/LD
NC
(3)
A
8
A
10
B
NC
A
6
CE
2
NC
BW
1
CLK
R/
W
OE
NC
(3)
A
9
NC
(3)
C
NC
NC
V
DDQ
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
DDQ
NC
I/O
P1
D
NC
I/O
8
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
NC
I/O
7
E
NC
I/O
9
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
NC
I/O
6
F
NC
I/O
10
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
NC
I/O
5
G
NC
I/O
11
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
NC
I/O
4
H
Vss
(1)
V
DD
(2)
NC
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
NC
NC
NC/ZZ
(6)
J
I/O
12
NC
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
3
NC
K
I/O
13
NC
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
2
NC
L
I/O
14
NC
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
1
NC
M
I/O
15
NC
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
0
NC
N
I/O
P2
NC
V
DDQ
V
SS
NC/
TRST
(4,5)
NC
V
SS
(1)
V
SS
V
DDQ
NC
NC
P
NC
NC
(3)
A
5
A
2
NC/TDI
(4)
A
1
NC/TDO
(4)
A
11
A
14
A
15
NC
R
LBO
NC
(3)
A
4
A
3
NC/TMS
(4)
A
0
NC/TCK
(4)
A
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A
13
A
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A
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5282 tbl 25a
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V3557SA85BQI 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs
IDT71V3557SA85PF 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs
IDT71V3557SA85PFI Ceramic Conformally Coated / Radial &apos;Standard &amp; High Voltage Golden Max&apos;; Capacitance [nom]: 0.68uF; Working Voltage (Vdc)[max]: 50V; Capacitance Tolerance: +/-20%; Dielectric: Multilayer Ceramic, Conformally Coated; Temperature Coefficient: Z5U; Lead Style: Radial Leaded; Lead Dimensions: 0.200&quot; Lead Spacing; Body Dimensions: 0.300&quot; x 0.390&quot; x 0.200&quot;; Container: Bag; Qty per Container: 250
IDT71V3559SA80BQI 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs
IDT71V3559SA85BG 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT71V3557SA85BQ8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V3557SA85BQG 功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V3557SA85BQG8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V3557SA85BQGI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V3557SA85BQGI8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
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