參數(shù)資料
型號(hào)： IDT71V3557SA75BG
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs
中文描述： 128K X 36 ZBT SRAM, 7.5 ns, PBGA119
封裝： 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119
文件頁(yè)數(shù)： 8/28頁(yè)
文件大小： 996K
代理商： IDT71V3557SA75BG
6.42
8
IDT71V3557, IDT71V3559, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
ZBT Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Pin Configuration 128K x 36, 165 fBGA
Pin Configuration - 256K x 18, 165 fBGA
1
2
3
NOTES:
1. H1 and N7 do not have to be directly connected to V
SS
as long as the input voltage is < V
IL.
2. H2 does not have to be directly connected directly to V
DD
as long as the input voltage is
≥
V
IH
.
3. A9, B9, B11, A1, R2, and P2 are reserved for future 9M 18M 36M 72M 144M and 288Mrespectively.
4. These pins are NC for the "S" version and the JTAG signal listed for the "SA" version.
5.
TRST
is offered as an optional JTAG reset if requested in the application. If not needed, can be left floating and will internally be pulled to V
DD.
6. Pin H11 supports ZZ (sleep mode) for the latest die revisions.
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
A
NC
(3)
A
7
CE
1
BW
3
BW
2
CE
2
CEN
ADV
/LD
NC
(3)
A
8
NC
B
NC
A
6
CE
2
BW
4
BW
1
CLK
R/
W
OE
NC
(3)
A
9
NC
(3)
C
I/O
P3
NC
V
DDQ
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
DDQ
NC
I/O
P2
D
I/O
17
I/O
16
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
15
I/O
14
E
I/O
19
I/O
18
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
13
I/O
12
F
I/O
21
I/O
20
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
11
I/O
10
G
I/O
23
I/O
22
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
9
I/O
8
H
V
SS
(1)
V
DD
(2)
NC
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
NC
NC
NC/ZZ
(6)
J
I/O
25
I/O
24
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
7
I/O
6
K
I/O
27
I/O
26
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
5
I/O
4
L
I/O
29
I/O
28
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
3
I/O
2
M
I/O
31
I/O
30
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
1
I/O
0
N
I/O
P4
NC
V
DDQ
V
SS
NC/
TRST
(4,5)
NC
V
SS
(1)
V
SS
V
DDQ
NC
I/O
P1
P
NC
NC
(3)
A
5
A
2
NC/TDI
(4)
A
1
NC/TDO
(4)
A
10
A
13
A
14
NC
R
LBO
NC
(3)
A
4
A
3
NC/TMS
(4)
A
0
NC/TCK
(4)
A
11
A
12
A
15
A
16
5282tbl 25
4
5
6
7
8
9
10
11
A
NC
(3)
A
7
CE
1
BW
2
NC
CE
2
CEN
ADV
/LD
NC
(3)
A
8
A
10
B
NC
A
6
CE
2
NC
BW
1
CLK
R/
W
OE
NC
(3)
A
9
NC
(3)
C
NC
NC
V
DDQ
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
DDQ
NC
I/O
P1
D
NC
I/O
8
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
NC
I/O
7
E
NC
I/O
9
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
NC
I/O
6
F
NC
I/O
10
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
NC
I/O
5
G
NC
I/O
11
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
NC
I/O
4
H
Vss
(1)
V
DD
(2)
NC
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
NC
NC
NC/ZZ
(6)
J
I/O
12
NC
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
3
NC
K
I/O
13
NC
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
2
NC
L
I/O
14
NC
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
1
NC
M
I/O
15
NC
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
0
NC
N
I/O
P2
NC
V
DDQ
V
SS
NC/
TRST
(4,5)
NC
V
SS
(1)
V
SS
V
DDQ
NC
NC
P
NC
NC
(3)
A
5
A
2
NC/TDI
(4)
A
1
NC/TDO
(4)
A
11
A
14
A
15
NC
R
LBO
NC
(3)
A
4
A
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NC/TMS
(4)
A
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NC/TCK
(4)
A
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A
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5282 tbl 25a
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V3557SA75BGI Ceramic Conformally Coated / Radial &apos;Standard &amp; High Voltage Golden Max&apos;; Capacitance [nom]: 0.068uF; Working Voltage (Vdc)[max]: 500V; Capacitance Tolerance: +/-10%; Dielectric: Multilayer Ceramic, Conformally Coated; Temperature Coefficient: X7R; Lead Style: Radial Leaded; Lead Dimensions: 0.200&quot; Lead Spacing; Body Dimensions: 0.300&quot; x 0.390&quot; x 0.200&quot;; Container: Bag; Qty per Container: 250
IDT71V3557SA75BQ 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs
IDT71V3557SA75BQI 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs
IDT71V3557SA75PF 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs
IDT71V3557SA75PFI Ceramic Conformally Coated / Radial &apos;Standard &amp; High Voltage Golden Max&apos;; Capacitance [nom]: 0.68uF; Working Voltage (Vdc)[max]: 50V; Capacitance Tolerance: +/-5%; Dielectric: Multilayer Ceramic, Conformally Coated; Temperature Coefficient: X7R; Lead Style: Radial Leaded; Lead Dimensions: 0.200&quot; Lead Spacing; Body Dimensions: 0.300&quot; x 0.390&quot; x 0.200&quot;; Container: Bag; Qty per Container: 250
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參數(shù)描述
IDT71V3557SA75BG8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 75NS 119BGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71V3557SA75BGI
IDT71V3557SA75BGG 功能描述:IC SRAM 4MBIT 75NS 119BGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71V3557SA75BGI
IDT71V3557SA75BGG8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 75NS 119BGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71V3557SA75BGI
IDT71V3557SA75BGGI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 75NS 119BGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71V3557SA75BGI
IDT71V3557SA75BGGI8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 75NS 119BGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71V3557SA75BGI
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