參數(shù)資料
型號(hào)： IDT71V3557S85PF
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs
中文描述： 128K X 36 ZBT SRAM, 8.5 ns, PQFP100
封裝： 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
文件頁數(shù)： 7/28頁
文件大?。?/td> 996K
代理商： IDT71V3557S85PF
6.42
IDT71V3557, IDT71V3559, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
ZBT Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
7
Pin Configuration 128K x 36, 119 BGA
Pin Configuration - 256K x 18, 119 BGA
Top View
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NOTES:
1. R5 and J5 do not have to be directly connected to V
SS
as long as the input voltage is < V
IL.
2. J3 does not have to be directly connected directly to V
DD
as long as the input voltage is
≥
V
IH
.
3. G4 and A4 are reserved for future 8Mand 16Mrespectively.
4. These pins are NC for the "S" version and the JTAG signal listed for the "SA" version.
5.
TRST
is offered as an optional JTAG reset if requested in the application. If not needed, can be left floating and will internally be pulled to V
DD.
6. Pin T7 supports ZZ (sleep mode) for the latest die revisions.
1
2
3
4
5
6
7
A
V
DDQ
A
6
A
4
A
8
A
16
V
DDQ
B
NC
CE
2
A
3
ADV/
LD
A
9
CE
2
NC
C
A
7
A
2
V
DD
A
12
A
15
NC
D
I/O
16
I/O
P3
V
SS
NC
V
SS
I/O
P2
I/O
15
E
I/O
17
I/O
18
V
SS
V
SS
I/O
13
I/O
14
F
V
DDQ
I/O
19
V
SS
OE
V
SS
I/O
12
V
DDQ
G
I/O
20
I/O
21
BW
3
BW
2
I/O
11
I/O
10
H
I/O
22
I/O
23
V
SS
R/
W
V
SS
I/O
9
I/O
8
J
V
DDQ
V
DD
V
DD
V
DD
V
DDQ
K
I/O
24
I/O
26
V
SS
CLK
V
SS
I/O
6
I/O
7
L
I/O
25
I/O
27
BW
4
NC
BW
1
I/O
4
I/O
5
M
V
DDQ
I/O
28
V
SS
CEN
V
SS
I/O
3
V
DDQ
N
I/O
29
I/O
30
V
SS
A
1
V
SS
I/O
2
I/O
1
P
I/O
31
I/O
P4
V
SS
A
0
V
SS
I/O
0
I/O
P1
R
NC
A
5
LBO
V
DD
A
13
T
NC
NC
A
10
A
11
A
14
NC
NC/ZZ
(6)
U
V
DDQ
NC/TMS
(4)
NC/TDI
(4)
NC/TCK
(4)
NC/TDO
(4)
NC/
TRST
(4,5)
V
DDQ
5282 drw 13A
V
SS(1)
NC
NC(3)
CE
1
NC(3)
V
DD(2)
V
SS(1)
,
NC
1
2
3
4
5
6
7
A
V
DDQ
A
6
A
4
NC(3)
A
8
A
16
V
DDQ
B
NC
CE2
A
3
ADV/
LD
A
9
CE
2
NC
C
A
7
A
2
V
DD
A
13
A
17
NC
D
I/O
8
NC
V
SS
NC
V
SS
I/O
P1
NC
E
NC
I/O
9
V
SS
V
SS
NC
I/O
7
F
V
DDQ
NC
V
SS
OE
V
SS
I/O
6
V
DDQ
G
NC
I/O
10
BW
2
NC
I/O
5
H
I/O
11
NC
V
SS
R/
W
V
SS
I/O
4
NC
J
V
DDQ
V
DD
V
DD
V
DD
V
DDQ
K
NC
I/O
12
V
SS
CLK
V
SS
NC
I/O
3
L
I/O
13
NC
NC
BW
1
I/O
2
NC
M
V
DDQ
I/O
14
V
SS
CEN
V
SS
NC
V
DDQ
N
I/O
15
NC
V
SS
A
1
V
SS
I/O
1
NC
P
NC
I/O
P2
V
SS
A
0
V
SS
NC
I/O
0
R
NC
A
5
LBO
V
DD
A
12
T
NC
A
10
A
15
NC
A
14
A
11
NC/ZZ
(6)
U
V
DDQ
NC/TMS
(4)
NC/TDI
(4)
NC/TCK
(4)
NC/TDO
(4)
NC/TRST
(4,5)
V
DDQ
5282 drw 13B
NC
SS(1)
V
V
SS
V
SS
CE
1
NC(3)
V
DD(2)
V
SS(1)
,
NC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V3557S85PFI 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs
IDT71V3557SA 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs
IDT71V3557SA75BG 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs
IDT71V3557SA75BGI Ceramic Conformally Coated / Radial &apos;Standard &amp; High Voltage Golden Max&apos;; Capacitance [nom]: 0.068uF; Working Voltage (Vdc)[max]: 500V; Capacitance Tolerance: +/-10%; Dielectric: Multilayer Ceramic, Conformally Coated; Temperature Coefficient: X7R; Lead Style: Radial Leaded; Lead Dimensions: 0.200&quot; Lead Spacing; Body Dimensions: 0.300&quot; x 0.390&quot; x 0.200&quot;; Container: Bag; Qty per Container: 250
IDT71V3557SA75BQ 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs
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參數(shù)描述
IDT71V3557S85PF8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI
IDT71V3557S85PFG 功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
IDT71V3557S85PFG8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤
IDT71V3557S85PFGI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
IDT71V3557S85PFGI8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤
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