參數(shù)資料
型號： IDT71V3556SA133BGG
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
中文描述： 128K X 36 ZBT SRAM, 4.2 ns, PBGA119
封裝： 14 X 22 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119
文件頁數(shù)： 8/28頁
文件大?。?/td> 1010K
代理商： IDT71V3556SA133BGG
6.42
8
IDT71V3556, IDT71V3558, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with
ZBT
Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Pin Configuration - 128K x 36, 165 fBGA
Pin Configuration - 256K x 18, 165 fBGA
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
A
NC
(2)
A
7
CE1
BW
3
BW
2
CE
2
CEN
ADV/
LD
NC
(2)
A
8
NC
B
NC
A
6
CE
2
BW
4
BW
1
CLK
R/
W
OE
NC
(2)
A
9
NC
(2)
C
I/O
P3
NC
V
DDQ
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
DDQ
NC
I/O
P2
D
I/O
17
I/O
16
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
15
I/O
14
E
I/O
19
I/O
18
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
13
I/O
12
F
I/O
21
I/O
20
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
11
I/O
10
G
I/O
23
I/O
22
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
9
I/O
8
H
V
DD
(1)
V
DD
(1)
NC
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
NC
NC
NC/ZZ
(5)
J
I/O
25
I/O
24
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
7
I/O
6
K
I/O
27
I/O
26
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
5
I/O
4
L
I/O
29
I/O
28
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
3
I/O
2
M
I/O
31
I/O
30
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
1
I/O
0
N
I/O
P4
NC
V
DDQ
V
SS
NC/
TRST
(3,4)
NC
V
DD
(1)
V
SS
V
DDQ
NC
I/O
P1
P
NC
NC
(2)
A
5
A
2
NC/TDI
(3)
A
1
NC/TDO
(3)
A
10
A
13
A
14
NC
R
LBO
NC
(2)
A
4
A
3
NC/TMS
(3)
A
0
NC/TCK
(3)
A
11
A
12
A
15
A
16
5281 tbl 25
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
A
NC
(2)
A
7
CE
1
BW
2
NC
CE
2
CEN
ADV
/LD
NC
(2)
A
8
A
10
B
NC
A
6
CE
2
NC
BW
1
CLK
R/
W
OE
NC
(2)
A
9
NC
(2)
C
NC
NC
V
DDQ
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
DDQ
NC
I/O
P1
D
NC
I/O
8
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
NC
I/O
7
E
NC
I/O
9
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
NC
I/O
6
F
NC
I/O
10
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
NC
I/O
5
G
NC
I/O
11
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
NC
I/O
4
H
V
DD
(1)
V
DD
(1)
NC
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
NC
NC
NC/ZZ
(5)
J
I/O
12
NC
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
3
NC
K
I/O
13
NC
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
2
NC
L
I/O
14
NC
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
1
NC
M
I/O
15
NC
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
0
NC
N
I/O
P2
NC
V
DDQ
V
SS
NC/
TRST
(3,4)
NC
V
DD
(1)
V
SS
V
DDQ
NC
NC
P
NC
NC
(2)
A
5
A
2
NC/TDI
(3)
A
1
NC/TDO
(3)
A
11
A
14
A
15
NC
R
LBO
NC
(2)
A
4
A
3
NC/TMS
(3)
A
0
NC/TCK
(3)
A
12
A
13
A
16
A
17
5281 tbl 25a
NOTES:
1. H1, H2, and N7 do not have to be directly connected to V
DD
as long as the input voltage is
≥
V
IH
.
2. A9, B9, B11, A1, R2 and P2 are reserved for future 9M 18M 36M 72M 144Mand 288Mrespectively.
3. These pins are NC for the "S" version or the JTAG signal listed for the "SA" version.
4.
TRST
is offered as an optional JTAG reset if required in the application. If not needed, can be left floating and will internally be pulled to V
DD
.
5. Pin H11 does not have to be connected directly to V
SS
as long as the input voltage is
≤
V
IL
; on the latest die revision this pin supports ZZ (sleep mode).
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V3556SA133PFG 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V3558SA200BGG 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V3558SA200BQG 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V3558SA200PFG 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V3556S 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT71V3556SA133BGG8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 119BGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
IDT71V3556SA133BGGI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 119BGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
IDT71V3556SA133BGGI8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 119BGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
IDT71V3556SA133BGI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
IDT71V3556SA133BGI8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
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