參數(shù)資料
型號： IDT71V3548S100BQI
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAM 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
中文描述： 256K X 18 ZBT SRAM, 5 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, FBGA-165
文件頁數(shù)： 5/26頁
文件大?。?/td> 494K
代理商： IDT71V3548S100BQI
6.42
IDT71V3548, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with
ZBT
Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Pin Configuration - 256K x 18, 119 BGA
5
1
2
3
4
5
6
7
A
V
DDQ
A
6
A
4
NC(2)
A
8
A
16
V
DDQ
B
NC
CE2
A
3
ADV/
LD
A
9
CE
2
NC
C
A
7
A
2
V
DD
A
13
A
17
NC
D
I/O
8
NC
V
SS
NC
V
SS
I/O
7
NC
E
NC
I/O
9
V
SS
V
SS
NC
I/O
6
F
V
DDQ
NC
V
SS
OE
V
SS
I/O
5
V
DDQ
G
NC
I/O
10
BW
2
NC
I/O
4
H
I/O
11
NC
V
SS
R/
W
V
SS
I/O
3
NC
J
V
DDQ
V
DD
V
DD
V
DD
V
DDQ
K
NC
I/O
12
V
SS
CLK
V
SS
NC
I/O
2
L
I/O
13
NC
NC
BW
1
I/O
1
NC
M
V
DDQ
I/O
14
V
SS
CEN
V
SS
NC
V
DDQ
N
I/O
15
NC
V
SS
A
1
V
SS
I/O
0
NC
P
NC
I/O
P2
V
SS
A
0
V
SS
NC
I/O
P1
R
NC
A
5
LBO
V
DD
A
12
T
NC
A
10
A
15
NC
A
14
A
11
NC/ZZ(5)
U
V
DDQ
V
DDQ
5296 drw 13
NC
DD(1)
V
NC
V
SS
V
SS
CE
1
NC(2)
V
DD(1)
V
DD(1)
,
NC/TMS
(3)
NC/
TRST
(3,4)
NC/TDO
(3)
NC/TCK
(3)
NC/TDI
(3)
Top View
NOTES:
1. J3, J5, and R5 do not have to be directly connected to V
DD
as long as the input voltage is
≥
V
IH
.
2. G4 and A4 are reserved for future 8Mand 16Mrespectively.
3. These pins are NC for the "S" version and the JTAG signal listed for the "SA" version.
4.
TRST
is offered as an optional JTAG reset if required in the application. If not needed, can be left floating and will internally be pulled to V
DD.
5. Pin T7 supports ZZ (sleep mode) on the latest die revision.
相關PDF資料
PDF描述
IDT71V3548S100PF 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAM 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V3548S100PFI 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAM 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V3548S133BG 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAM 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V3548S133BGI 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAM 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V3548S133BQ 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAM 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IDT71V3556S100BG 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標準包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應商設備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI
IDT71V3556S100BG8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標準包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應商設備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI
IDT71V3556S100BGI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標準包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應商設備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI
IDT71V3556S100BGI8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標準包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應商設備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI
IDT71V3556S100BQ 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標準包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應商設備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*