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參數(shù)資料
| 型號： | IDT71V2578S150PF |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect |
| 中文描述： | 256K X 18 CACHE SRAM, 3.8 ns, PQFP100 |
| 封裝： | 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 18/22頁 |
| 文件大?。?/td> | 282K |
| 代理商： | IDT71V2578S150PF |
6.42
18
IDT71V2576, IDT71V2578, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect Commercial and Industrial Temperature Ranges
CLK
ADSP
GW
,
BWE
,
BW
x
CE
,
CS
1
CS
0
ADDRESS
ADSC
DATA
OUT
OE
Av
Aw
Ax
Ay
Az
(Av)
(Aw)
(Ax)
(Ay)
4876 drw 14
,
Non-Burst Read Cycle Timing Waveform
NOTES:
1. ZZ input is LOW,
ADV
is HIGH and
LBO
is Don't Care for this cycle.
2. (Ax) represents the data for address Ax, etc.
3. For read cycles,
ADSP
and
ADSC
function identically and are therefore interchangable.
NOTES:
1. ZZ input is LOW,
ADV
and
OE
are HIGH, and
LBO
is Don't Care for this cycle.
2. (Ax) represents the data for address Ax, etc.
3. Although only
GW
writes are shown, the functionality of
BWE
and
BW
x together is the same as
GW
.
4. For write cycles,
ADSP
and
ADSC
have different limtations.
Non-Burst Write Cycle Timing Waveform
CLK
ADSP
GW
CE
,
CS
1
CS
0
ADDRESS
ADSC
DATA
IN
Av
Aw
Ax
Az
Ay
(Av)
(Aw)
(Ax)
(Az)
(Ay)
4876 drw 15
,
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V2578S150PFI | 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect |
| IDT71V2578SA | 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect |
| IDT71V2578SA133BQI | IC LOGIC 3253 LOW-VOLTAGE DUAL 1-OF-4 FET MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER -40+85C QSOP-16 97/TUBE |
| IDT71V2578SA133PF | IC DUAL 4-1 BUS SW 16-QSOP |
| IDT71V2578SA133PFI | 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT71V30L25TF | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI |
| IDT71V30L25TF8 | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT71V30L25TFG | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI |
| IDT71V30L25TFG8 | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT71V30L35TF | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI |
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