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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT71V2576YS133PF |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect |
| 中文描述： | 128K X 36 CACHE SRAM, 4.2 ns, PQFP100 |
| 封裝： | 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/22頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 282K |
| 代理商： | IDT71V2576YS133PF |
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6.42
IDT71V2576, IDT71V2578, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect Commercial and Industrial Temperature Ranges
7
Pin Configuration 256K x 18, 119 BGA
Pin Configuration 128K x 36, 119 BGA
Top View
Top View
NOTES:
1. R5 can either be directly connected to V
DD
, or connected to an input voltage
≥
V
IH
, or left unconnected.
2. These pins are NC for the "S" version or the JTAG signal listed for the "SA" version. Note: If NC, these pins can either be tied to V
SS
, V
DD
or left floating.
3. T7 can be left unconnected and the device will always remain in active mode.
4.
TRST
is offered as an optional JTAG Reset if required in the application. If not needed, can be left floating and will internally be pulled to V
DD
.
1
2
3
4
5
6
7
A
V
DDQ
A
6
A
4
ADSP
A
8
A
16
V
DDQ
B
NC
CS
0
A
3
ADSC
A
9
CS
1
NC
C
A
7
A
2
V
DD
A
12
A
15
NC
D
I/O
16
I/O
P3
V
SS
NC
V
SS
I/O
P2
I/O
15
E
I/O
17
I/O
18
V
SS
CE
V
SS
I/O
13
I/O
14
F
V
DDQ
I/O
19
V
SS
OE
V
SS
I/O
12
V
DDQ
G
I/O
20
I/O
21
BW
3
ADV
BW
2
I/O
11
I/O
10
H
I/O
22
I/O
23
V
SS
GW
V
SS
I/O
9
I/O
8
J
V
DDQ
V
DD
NC
V
DD
NC
V
DD
V
DDQ
K
I/O
24
I/O
26
V
SS
CLK
V
SS
I/O
6
I/O
7
L
I/O
25
I/O
27
BW
4
NC
BW
1
I/O
4
I/O
5
M
V
DDQ
I/O
28
V
SS
BWE
V
SS
I/O
3
V
DDQ
N
I/O
29
I/O
30
V
SS
A
1
V
SS
I/O
2
I/O
1
P
I/O
31
I/O
P4
V
SS
A
0
V
SS
I/O
0
I/O
P1
R
NC
A
5
LBO
V
DD
A
13
T
NC
NC
A
10
A
11
A
14
NC
ZZ
(3)
U
V
DDQ
NC/TMS
(2)
NC/TDI
(2)
NC/TCK
(2)
NC/TDO
(2)
NC/
TRST
(2,4)
V
DDQ
4876 drw 04
V
DD
/ NC
(1)
NC
NC
,
1
2
3
4
5
6
7
A
V
DDQ
A
6
A
4
ADSP
A
8
A
16
V
DDQ
B
NC
CS
0
A
3
ADSC
A
9
CS
1
NC
C
A
7
A
2
V
DD
A
13
A
17
NC
D
I/O
8
NC
V
SS
NC
V
SS
I/O
7
NC
E
NC
I/O
9
V
SS
CE
V
SS
NC
I/O
6
F
V
DDQ
NC
V
SS
OE
V
SS
I/O
5
V
DDQ
G
NC
I/O
10
BW
2
ADV
NC
I/O
4
H
I/O
11
NC
V
SS
GW
V
SS
I/O
3
NC
J
V
DDQ
V
DD
NC
V
DD
NC
V
DD
V
DDQ
K
NC
I/O
12
V
SS
CLK
V
SS
NC
I/O
2
L
I/O
13
NC
NC
BW
1
I/O
1
NC
M
V
DDQ
I/O
14
V
SS
BWE
V
SS
NC
V
DDQ
N
I/O
15
NC
V
SS
A
1
V
SS
I/O
0
NC
P
NC
I/O
P2
V
SS
A
0
V
SS
NC
I/O
P1
R
NC
A
5
LBO
V
DD
A
12
T
NC
A
10
A
15
NC
A
14
A
11
ZZ
(3)
U
V
DDQ
V
DDQ
4876 drw 05
NC
V
DD / NC(1)
NC
V
SS
V
SS
,
NC/TMS
(2)
NC/TDI
(2)
NC/TCK
(2)
NC/TDO
(2)
NC/
TRST
(2,4)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V2576YS133PFI | 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect |
| IDT71V2576YS150BG | 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect |
| IDT71V2576YS150BGI | 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect |
| IDT71V2576YS150BQ | 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect |
| IDT71V2576YS150BQI | 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT71V2576YS150PF | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 150MHZ 100TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71V3557SA75BGI |
| IDT71V2576YS150PF8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 150MHZ 100TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71V3557SA75BGI |
| IDT71V2576YS150PFG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 150MHZ 100TQFP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71V3557SA75BGI |
| IDT71V2576YS150PFG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 150MHZ 100TQFP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71V3557SA75BGI |
| IDT71V2578S133BGGI | 制造商:INT-DEV 功能描述: |
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