參數(shù)資料
型號(hào)： IDT71V2576S133BQI
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： RECTIFIER FAST-RECOVERY SINGLE 1A 200V 30A-ifsm 1V-vf 50ns 5uA-ir DO-41 5K/AMMO
中文描述： 128K X 36 CACHE SRAM, 4.2 ns, PBGA165
封裝： FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 8/22頁(yè)
文件大?。?/td> 282K
代理商： IDT71V2576S133BQI
6.42
16
IDT71V2576, IDT71V2578, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect
Commercial and Industrial Temperature Ranges
NOTES:
1.
ZZ
input
is
LOW,
GW
is
HIGH
and
LBO
is
Don't
Care
for
this
cycle.
2.
O4
(Aw)
represents
the
final
output
data
in
the
burst
sequence
of
the
base
address
Aw.
I1
(Ax)
represents
the
first
input
fr
om
the
external
address
Ax.
I1
(Ay)
represents
the
first
input
from
the
external
address
Ay;
I2
(Ay)
represent
the
next
input
data
in
the
burst
sequence
of
the
base
address
Ay,
etc.
where
A0
and
A1
a
re
advancing
for
the
four
word
burst
in
the
sequence
defined
by
the
state
of
the
LBO
input.
In
the
case
of
input
I2
(Ay)
this
data
is
valid
for
two
cycles
because
ADV
is
high
and
has
suspended
the
burst.
3.
C
S
0timing
transitions
are
identical
but
inverted
to
the
CE
and
CS
1
signals.
For
example,
when
CE
and
CS
1are
LOW
on
this
waveform,
CS
0is
HIGH.
Timing Waveform of Write Cycle No. 2 Byte Controlled(1,2,3)
A
D
R
E
S
C
L
K
A
D
S
P
A
D
S
C
tC
Y
C
tS
S
tH
S
tC
H
tC
L
tH
A
tS
A
x
A
y
tH
W
B
W
x
A
D
V
D
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A
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U
T
O
E
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C
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D
S
in
g
le
W
ri
te
B
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s
t
W
ri
te
I1(
A
x)
I2
(A
y)
I2(
A
y)
(A
D
V
su
sp
e
n
d
s
bu
rs
t)
I2
(A
z)
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D
B
urs
t
R
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ad
E
x
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B
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t
W
rit
e
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H
Z
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A
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A
V
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W
O
4(
A
w
)
C
E
,
C
S
1
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W
B
W
E
tS
W
(N
ot
e
3)
I1
(A
z)
A
z
I4
(A
y)
I1
(A
y)
I4
(A
y)
I3(
A
y)
tS
C
B
W
E
is
ignored
w
he
n
A
D
S
P
in
it
ia
te
s
a
cycl
e
and
is
sam
pl
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on
nex
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B
W
x
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in
it
ia
te
s
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cycl
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an
d
is
sam
pl
e
d
on
next
c
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ck
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s
ing
ed
ge
I3
(A
z)
O
3(A
w
)
4876
dr
w
11
,
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT72V83L20PA 3.3 Volt CMOS DUAL ASYNCHRONOUS FIFO DUAL 512 x 9, DUAL 1,024 x 9 DUAL 2,048 x 9, DUAL 4,096 X 9
IDT71V67703S75PF 256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect
IDT71V67903S75PF 256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect
IDT71V67703S75PFI 256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect
IDT71V67903S75PFI 256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect
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參數(shù)描述
IDT71V2576S133PF 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI
IDT71V2576S133PF8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI
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