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參數(shù)資料
| 型號： | IDT71T024L150PZI |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | LOW POWER 2V CMOS SRAM 1 MEG (128K x 8-BIT) |
| 中文描述： | 128K X 8 STANDARD SRAM, 150 ns, PDSO32 |
| 封裝： | 8 X 13.4 MM, TSOP1-32 |
| 文件頁數(shù)： | 6/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 741K |
| 代理商： | IDT71T024L150PZI |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71T024L200PZ | LOW POWER 2V CMOS SRAM 1 MEG (128K x 8-BIT) |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT71T75602S100BG | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 100MHZ 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF |
| IDT71T75602S100BG8 | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 100MHZ 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF |
| IDT71T75602S100BGG | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 100MHZ 119BGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF |
| IDT71T75602S100BGG8 | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 100MHZ 119BGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF |
| IDT71T75602S100BGGI | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 100MHZ 119BGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
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