參數(shù)資料
型號(hào): IDT71P74804S333BQ
廠商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類: DRAM
英文描述: 18Mb Pipelined QDR II SRAM Burst of 4
中文描述: 1M X 18 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝: 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù): 8/22頁(yè)
文件大小: 592K
代理商: IDT71P74804S333BQ
6.42
8
IDT71P74204 (2M x 8-Bit), 71P74104 (2M x 9-Bit), 71P74804 (1M x 18-Bit) 71P74604 (512K x 36-Bit) Advance Information
18 Mb QDR II SRAM Burst of 4 Commercial Temperature Range
Pin Configuration 512K x 36
165-ball FBGA Pinout
TOP VIEW
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TDO
TCK
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SA
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TMS
TDI
6111 tbl 12c
NOTES:
1. A9 is reserved for the 36Mb expansion address.
2. A3 is reserved for the 72Mb expansion address.
3. A10 is reserved for the 144Mb expansion address. This must be tied or driven to V
SS
on the 512K x 36 QDRII Burst of 4 (71P74604) devices.
4. A2 is reserved for the 288Mb expansion address. This must be tied or driven to V
SS
on the 512K x 36 QDRII Burst of 4 (71P74604) devices.
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PDF描述
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IDT71T016SA15Y 2.5V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)
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參數(shù)描述
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