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參數(shù)資料
| 型號： | IDT71P73104167BQ |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4 |
| 中文描述： | 35.7流水線的DDR II SRAM的突發(fā)⑩4 |
| 文件頁數(shù)： | 21/25頁 |
| 文件大小： | 648K |
| 代理商： | IDT71P73104167BQ |
6.42
21
IDT71P73204 (2M x 8-Bit), 71P73104 (2M x 9-Bit), 71P73804 (1M x 18-Bit) 71P73604 (512K x 36-Bit)
18 Mb DDR II SRAM Burst of 4 Commercial Temperature Range
JTAG DC Operating Conditions
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Note
Output Power Supply
V
DDQ
1.4
-
1.9
V
Power Supply Voltage
V
DD
1.7
1.8
1.9
V
Input High Level
V
IH
1.3
-
VDD+0.3
V
Input Low Level
V
IL
-0.3
-
0.5
V
TCK Input Leakage Current
I
IL
-5
-
+5
μ
A
TMS, TDI Input Leakage Current
I
IL
-15
-
+15
μ
A
TDO Output Leakage Current
I
0L
-5
-
+5
μ
A
Output High Voltage (IOH =-1mA)
V
OH
V
DDQ
- 0.2
-
V
DDQ
V
1
Output LowVoltage (IOL = 1mA)
V
OL
V
SS
-
0.2
V
1
6431 tbl 19
Parameter
Symbol
Min
Unit
Note
Input High Level
V
IH
1.8
V
Input Low Level
V
IL
0
V
Input Rise/Fall Time
TR/TF
1.0/1.0
ns
Input and Output Timng Reference Level
0.9
V
1
6431 tbl 20
NOTE:
1. The output impedance of TDO is set to 50 ohms (nomnal process) and does not vary with the
external resistor connected to ZQ.
JTAG AC Test Conditions
NOTE:
1. For SRAMoutputs see AC test load on page 14.
JTAG Input Test Waveform
JTAG Output Test Waveform
JTAG AC Test Load
6431 drw 23
0.9 V
0.9 V
Test points
1.8 V
0 V
6431 drw 24
0.9 V
0.9 V
Test points
0.9 V
50
TDO
Z
0
= 50
6431 drw 25
,
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71P73104200BQ | 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4 |
| IDT71P73104250BQ | 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4 |
| IDT71P73204 | 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4 |
| IDT71P73204167BQ | 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4 |
| IDT71P73204200BQ | 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT71P73604S167BQ | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應商設備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤 |
| IDT71P73604S167BQ8 | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應商設備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤 |
| IDT71P73604S200BQ | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應商設備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤 |
| IDT71P73604S200BQ8 | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應商設備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤 |
| IDT71P73604S250BQ | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 250MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應商設備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤 |
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