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參數(shù)資料
| 型號： | IDT71B74S10TP |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | MC SWITCH EXTREME 10/100 SM ST 12-VDC |
| 中文描述： | 8K X 8 CACHE TAG SRAM, 10 ns, PDIP28 |
| 封裝： | 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
| 文件頁數(shù)： | 23/24頁 |
| 文件大小： | 741K |
| 代理商： | IDT71B74S10TP |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71B74S10Y | M C SWITCH EXTREME 10/100MM 95-260-VAC ST |
| IDT71B74S12TP | M C SWITCH EXTREME 10/100MM 24-VDC ST |
| IDT71B74S12Y | M C SWITCH EXTREME 10/100MM 48-VDC ST |
| IDT71B74S15TP | MC SWITCH STANDARD 10/100MM 115-VAC SC |
| IDT71B74S15Y | BiCMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT) CACHE-TAG RAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT71B74S15TP | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:CACHE-TAG RAM, 8KX8, 28 Pin, Plastic, DIP |
| IDT71B74S15Y | 制造商:IDT 9532 功能描述:CACHE-TAG RAM, 8KX8, 28 Pin, Plastic, SOJ 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:CACHE-TAG RAM, 8KX8, 28 Pin, Plastic, SOJ |
| IDT71P71604S167BQ | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| IDT71P71604S167BQ8 | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| IDT71P71604S167BQG | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
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