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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT71342LA70PF |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 650V N-Channel MOSFET; Package: TO-220F; No of Pins: 3; Container: Rail |
| 中文描述： | 4K X 8 DUAL-PORT SRAM, 70 ns, PQFP64 |
| 封裝： | PLASTIC, TQFP-64 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/13頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 144K |
| 代理商： | IDT71342LA70PF |
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6.05
3
IDT71342SA/LA
HIGH-SPEED 4K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH SEMAPHORE
COMMERCIAL TEMPERATURE RANGE
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS OVER THE
OPERATING TEMPERATURE AND SUPPLY VOLTAGE RANGE
(1)
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
71342X20
71342X25
71342X35
71342X45
71342X55 71342X70
Symbol
ICC
Parameter
Dynamic Operating
Test Conditions
CE
= V
IL
Version
COM’L. S
Typ.
(2)
Max. Typ.
(2)
Max. Typ.
(2)
Max. Typ.
(2)
Max. Typ.
(2)
Max. Typ.
(2)
Max. Unit
—
280
—
280
—
260
—
240
—
240
—
240
mA
Current
(Both Ports Active)
Outputs Open
SEM
= Don't Care
f = f
MAX
(3)
L
—
240
—
240
—
220
—
200
—
200
—
200
ICC1
Dynamic Operating
CE
= V
IH
COM’L. S
—
280
—
200
—
185
—
170
—
170
—
170
mA
Current
(Semaphores
Both Sides)
Standby Current
(Both Ports—TTL
Level Inputs)
Standby Current
(One Port—TTL
Level Inputs)
Outputs Open
SEM
< V
IL
f = f
MAX
(3)
CE
L
and
CE
R
= V
IH
SEM
L
=
SEM
R
> V
IH
L
f = f
MAX
(3)
CE
"A"
= V
IL
and
CE
"B"
= V
IH
(5)
Active Port Outputs
Open, f = f
MAX
(3)
L
—
240
—
170
—
155
—
140
—
140
—
140
ISB1
COM’L. S
25
25
80
80
25
25
80
50
25
25
75
45
25
25
70
40
25
25
70
40
25
25
70
40
mA
ISB2
COM’L. S
L
—
—
180
150
—
—
180
150
—
—
170
140
—
—
160
130
—
—
160
130
—
—
160
130
mA
ISB3
Full Standby Current Both Ports
CE
L
and COM’L. S
(Both Ports—All
CE
R
> V
CC
- 0.2V
CMOS Level Inputs)
V
IN
> V
CC
- 0.2V or
V
IN
< 0.2V
SEM
L
=
SEM
R
>
V
CC
- 0.2V, f = 0
(4)
Full Standby Current One Port
CE
"A"
or
(One Port—All
CE
"B"
> V
CC
- 0.2V
CMOS Level Inputs)
V
IN
> V
CC
- 0.2V or
V
IN
< 0.2V
SEM
L
=
SEM
R
>
V
CC
- 0.2V
Active Port Outputs
Open, f = f
MAX
(3)
1.0
0.2
15
4.5
1.0
0.2
15
4.0
1.0
0.2
15
4.0
1.0
0.2
15
4.0
1.0
0.2
15
4.0
1.0
0.2
15
4.0
mA
L
ISB4
COM’L. S
L
—
—
170
140
—
—
170
140
—
—
150
130
—
—
150
120
—
—
150
120
—
—
150
120
mA
NOTES:
1. “X” in part number indicates power rating (SA or LA).
2. V
CC
= 5V, T
A
= +25
°
C for typical values, and parameters are not production tested.
3. f
MAX
= 1/t
RC
= All inputs cycling at f = 1/t
RC
(except Output Enable).
4. f = 0 means no address or control lines change. Applies only to inputs at CMOS level standby I
SB3.
5. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is opposite from port "A".
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS OVER THE
OPERATING TEMPERATURE AND SUPPLY VOLTAGE
(V
CC
= 5V
±
10%)
IDT71342SA
Min.
IDT71342LA
Min.
Symbol
Parameter
Test Conditions
Max.
Max.
Unit
|I
LI
|
Input Leakage Current
(1)
V
CC
= 5.5V, V
IN
= 0V to V
CC
—
10
—
5
μ
A
μ
A
V
V
V
|I
LO
|
V
OL
Output Leakage Current
Output Low Voltage
CE
= V
IH
, V
OUT
= 0V to V
CC
I
OL
= 6mA
I
OL
= 8mA
I
OH
= –4mA
—
—
—
2.4
10
0.4
0.5
—
—
—
—
2.4
5
0.4
0.5
—
V
OH
Output High Voltage
2721 tbl 05
1. At Vcc < 2.0V input leakages are undefined.
NOTE:
2721 tbl 06
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71342SA | HIGH-SPEED 4K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH SEMAPHORE |
| IDT71342SA20J | HIGH-SPEED 4K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH SEMAPHORE |
| IDT71342SA20PF | HIGH-SPEED 4K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH SEMAPHORE |
| IDT71342SA25J | HIGH-SPEED 4K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH SEMAPHORE |
| IDT71342SA25PF | HIGH-SPEED 4K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH SEMAPHORE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT71342SA20J | 功能描述:IC SRAM 32KBIT 20NS 52PLCC RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71V67703S75PFGI |
| IDT71342SA20J8 | 功能描述:IC SRAM 32KBIT 20NS 52PLCC RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71V67703S75PFGI |
| IDT71342SA20PF | 功能描述:IC SRAM 32KBIT 20NS 64TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71V67703S75PFGI |
| IDT71342SA20PF8 | 功能描述:IC SRAM 32KBIT 20NS 64TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71V67703S75PFGI |
| IDT71342SA25J | 功能描述:IC SRAM 32KBIT 25NS 52PLCC RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71V67703S75PFGI |
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