參數(shù)資料
型號(hào)： IDT71321SA45PF
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： IC 74HC4538 DUAL ONE-SHOT
中文描述： 2K X 8 MULTI-PORT SRAM, 45 ns, PQFP64
封裝： PLASTIC, TQFP-64
文件頁數(shù)： 13/16頁
文件大小： 255K
代理商： IDT71321SA45PF
6.42
IDT7132SA/LA and IDT 7142SA/LA
High Speed 2K x 8 Dual Port Static RAM Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of
BUSY
Arbitration Controlled by
CE
Timing
(1)
Timing Waveform of
BUSY
Arbitration Controlled
by Address Match Timing
(1)
Truth Tables
Table I. Non-Contention Read/Write Control
(4)
Left or Right Port
(1)
NOTES:
1.
2.
3.
4.
A
0L
- A
10L
≠
A
0R
- A
10R
If
BUSY
= L, data is not written.
If
BUSY
= L, data may not be valid, see t
WDD
and t
DDD
timing.
'H' = V
IH
, 'L' = V
IL
, 'X' = DON’T CARE, 'Z' = HIGH IMPEDANCE
t
APS
(2)
ADDR
"A"
and
"B"
ADDRESSES MATCH
t
BAC
t
BDC
CE
"B"
CE
"A"
BUSY
"A"
2692 drw 13
BUSY
"B"
ADDRESSES DO NOT MATCH
ADDRESSES MATCH
t
APS
(2)
ADDR
"A"
ADDR
"B"
2692 drw 14
t
BAA
t
BDA
t
RC
or t
WC
NOTES:
1.
2.
All timing is the same for left and right ports. Port “A” may be either left or right port. Port “B” is the opposite from port “A”.
If t
APS
is not satisified, the
BUSY
will be asserted on one side or the other, but there is no guarantee on which side
BUSY
will be asserted (7132 only).
R/
W
CE
OE
D
0-7
Function
X
H
X
Z
Port Disabled and in Power-Down Mode, I
SB2
or I
SB4
X
H
X
Z
CE
R
=
CE
L
= V
IH,
Power-Down Mode, I
SB1
or I
SB3
L
L
X
DATA
IN
Data on Port Written into Memory
(2)
H
L
L
DATA
OUT
Data in Memory Output on Port
(3)
X
L
H
Z
High Impedance Outputs
2692 tbl 12
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71421SA45PF IC HEX INVERT SCHMITT TRIGGER
IDT71321LA45PF SILICONE COATED MIL GRADE WIREWOUND RESISTOR AXIAL LEAD , 600 OHM, 0.1%
IDT71421LA45PF SILICONE COATED MIL GRADE WIREWOUND RESISTOR AXIAL LEAD , 1K, 1%, ROHS
IDT71421SA45TF HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS
IDT71321LA45TF SILICONE COATED MIL GRADE WIREWOUND RESISTOR AXIAL LEAD, 1 OHM, 0.1%, 50PPM, ROHS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT71321SA55J 功能描述:IC SRAM 16KBIT 55NS 52PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
IDT71321SA55J8 功能描述:IC SRAM 16KBIT 55NS 52PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
IDT71321SA55JG 功能描述:IC SRAM 16KBIT 55NS 52PLCC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
IDT71321SA55JG8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 16KBIT 55NS 52PLCC
IDT71321SA55JI 功能描述:IC SRAM 16KBIT 55NS 52PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*