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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT7130SA35L48G |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
| 中文描述： | 1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, QCC48 |
| 封裝： | 0.570 X 0.570 INCH, 0.680 INCH HEIGHT, GREEN, LCC-48 |
| 文件頁數(shù)： | 7/19頁 |
| 文件大?。?/td> | 167K |
| 代理商： | IDT7130SA35L48G |
7
IDT7130SA/LA and IDT7140SA/LA
High-Speed 1K x 8 Dual-Port Static SRAM Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Test Conditions
5V
1250
*100pF for 55 and 100ns versions
30pF*
775
DATA
OUT
5V
1250
775
5pF*
DATA
OUT
2689 drw 07
5V
270
30pF*
BUSY or INT
*100pF for 55 and 100ns versions
Figure 3.
BUSY
and
INT
AC Output Test Load
Figure 1. Output Test Load
Figure 2. Output Test Load
(for t
HZ
, t
LZ
, t
WZ
, and t
OW
)
*including scope and jig
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timng Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
GND to 3.0V
5ns
1.5V
1.5V
Figures 1,2 and 3
2689 tbl 08
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7130SA35L48GB | HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
| IDT7130SA35L48GI | HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
| IDT7130SA35PFG | HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
| IDT7130SA35PFGB | HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
| IDT7130SA35PFGI | HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT7130SA35P | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 48DIP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT7130SA35PF | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT7130SA35PF8 | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT7130SA35TF | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 64STQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT7130SA35TF8 | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 64STQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
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