參數(shù)資料
型號(hào)： IDT7130SA25PFGB
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
中文描述： 1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, PQFP64
封裝： 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-64
文件頁(yè)數(shù)： 9/19頁(yè)
文件大?。?/td> 167K
代理商： IDT7130SA25PFGB
9
IDT7130SA/LA and IDT7140SA/LA
High-Speed 1K x 8 Dual-Port Static SRAM Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
T iming Waveform of Read Cycle No. 1, Either S ide
(1)
T iming Waveform of Read Cycle No. 2, Either S ide
(3)
NOTES:
1. Timng depends on which signal is asserted last,
OE
or
CE
.
2. Timng depends on which signal is deaserted first,
OE
or
CE
.
3. R/
W
= V
IH
and
OE
= V
IL
, and the address is valid prior to or coincidental with
CE
transition LOW.
4.
Start of valid data depends on which timng becomes effective last t
AOE
, t
ACE
,
t
AA
, and
t
BDD
.
ADDRESS
DATA
OUT
t
RC
t
OH
PREVIOUS DATA VALID
t
AA
t
OH
DATA VALID
2689 drw 08
t
BDDH
(2,3)
BUSY
OUT
NOTES:
1. R/
W
= V
IH
,
CE
= V
IL
, and is
OE
= V
IL
. Address is valid prior to the coincidental with
CE
transition LOW.
2. t
BDD
delay is required only in the case where the opposite port is completing a write operation to the same the address location. For simultaneous read operations,
BUSY
has no relationship to valid output data.
3. Start of valid data depends on which timng becomes effective last t
AOE
, t
ACE
, t
AA
, and t
BDD
.
CE
t
ACE
t
AOE
t
HZ
t
LZ
t
PD
VALID DATA
t
PU
50%
OE
DATA
OUT
CURRENT
I
CC
I
SS
50%
2689 drw 09
(4)
(1)
(1)
(2)
(2)
(4)
t
LZ
t
HZ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT7130SA25PFGI HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
IDT7130SA25PG HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
IDT7130SA25PGB HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
IDT7130SA25PGI HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
IDT7130SA25TFG HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT7130SA25TF 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64STQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71V67703S75PFGI
IDT7130SA25TF8 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64STQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
IDT7130SA35C 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 48DIP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT7130SA35CB 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS SB48
IDT7130SA35J 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 52PLCC RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*