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參數(shù)資料
| 型號： | IDT7130SA25JGB |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
| 中文描述： | 1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, PQCC52 |
| 封裝： | 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-52 |
| 文件頁數(shù)： | 15/19頁 |
| 文件大小： | 167K |
| 代理商： | IDT7130SA25JGB |
15
IDT7130SA/LA and IDT7140SA/LA
High-Speed 1K x 8 Dual-Port Static SRAM Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Elec tric al charac teristic s Over the
Operating Temperature and S upply Voltage Range
(1)
t
INS
ADDR
'A'
INT
'B'
INTERRUPT ADDRESS
t
WC
t
AS
R/
W
'A'
t
WR
2689 drw 16
(3)
(3)
(2)
(4)
INT
S et:
T iming Waveform of Interrupt Mode
(1)
NOTES:
.
1. All timng is the same for left and right ports. Port “A” may be either left or right port. Port “B” is the opposite fromport “A”.
2. See Interrupt Truth Table II.
3. Timng depends on which enable signal (
CE
or R/
W
) is asserted last.
4. Timng depends on which enable signal (
CE
or R/
W
) is de-asserted first.
INT
Clear:
NOTES:
1.
'X' in part numbers indicates power rating (SA or LA).
7130X55
7140X55
Com'l, Ind
& Mlitary
7130X100
7140X100
Com'l, Ind
& Mlitary
Symbol
Parameter
Mn.
Max.
Mn.
Max.
Unit
INTERRUPT TIMING
t
AS
Address Set-up Time
0
____
0
____
ns
t
WR
Write Recovery Time
0
____
0
____
ns
t
INS
Interrupt Set Time
____
45
____
60
ns
t
INR
Interrupt Reset Time
____
45
____
60
ns
2689 tbl 12b
t
RC
INTERRUPT CLEAR ADDRESS
ADDR
'B'
OE
'B'
t
INR
INT
'A'
2689 drw 17
t
AS
(3)
(3)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7130SA25JGI | HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
| IDT7130SA25L48G | HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
| IDT7130SA25L48GB | HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
| IDT7130SA25L48GI | HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
| IDT7130SA25PFG | HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IDT7130SA25PF8 | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
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| IDT7130SA25TF8 | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64STQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
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