參數(shù)資料
型號(hào)： IDT71256SA20Y
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT)
中文描述： 32K X 8 STANDARD SRAM, 20 ns, PDSO28
封裝： 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28
文件頁(yè)數(shù)： 6/9頁(yè)
文件大小： 78K
代理商： IDT71256SA20Y
7.2
6
IDT71256 S/L
CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT)
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(V
CC
= 5.0V
±
10%, All Temperature Ranges)
71256S55
(1)
71256L55
(1)
71256S70
(1)
71256L70
(1)
71256S85
(1)
71256L85
(1)
71256S100
(1,3)
71256L100
(1,3)
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
Read Cycle
t
RC
Read Cycle Time
55
—
70
—
85
—
100
—
ns
t
AA
Address Access Time
—
55
—
70
—
85
—
100
ns
t
ACS
Chip Select Access Time
—
55
—
70
—
85
—
100
ns
t
CLZ
(2)
t
CHZ
(2)
Chip Deselect to Output in Low-Z
5
—
5
—
5
—
5
—
ns
Output Enable to Output in Low-Z
—
25
—
30
—
35
—
40
ns
t
OE
Output Enable to Output Valid
—
25
—
30
—
35
—
40
ns
t
OLZ
(2)
Output Enable to Output in Low-Z
0
—
0
—
0
—
0
—
ns
t
OHZ
(2)
Output Disable to Output in High-Z
0
25
0
30
—
35
—
40
ns
t
OH
Output Hold from Address Change
5
—
5
—
5
—
5
—
ns
Write Cycle
t
WC
Write Cycle Time
55
—
70
—
85
—
100
—
ns
t
CW
Chip Select to End-of-Write
50
—
60
—
70
—
80
—
ns
t
AW
Address Valid to End-of-Write
50
—
60
—
70
—
80
—
ns
t
AS
Address Set-up Time
0
—
0
—
0
—
0
—
ns
t
WP
Write Pulse Width
40
—
45
—
50
—
55
—
ns
t
WR
Write Recovery Time
0
—
0
—
0
—
0
—
ns
t
DW
Data to Write Time Overlap
25
—
30
—
35
—
40
—
ns
t
DH
Data Hold from Write Time (
WE
)
0
—
0
—
0
—
0
—
ns
t
WHZ
(2)
Write Enable to Output in High-Z
—
25
—
30
—
35
—
40
ns
t
OW
(2)
Output Active from End-of-Write
5
—
5
—
5
—
5
—
ns
NOTES:
1. –55
°
C to +125
°
C temperature range only.
2. This parameter guaranteed by device characterization, but is not production tested.
3. Also available: 120 and 150 ns military devices.
2946 tbl 11
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71256SA25PZ CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT)
IDT71256SA25T CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT)
IDT71256SA25Y Asynchronous Communications Element With Autoflow Control 48-TQFP 0 to 70
IDT71256SA70 CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT)
IDT71256SA70PZ Asynchronous Communications Element With Autoflow Control 48-TQFP 0 to 70
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT71256SA20Y8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 28SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT71256SA20YG 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 28SOJ RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
IDT71256SA20YG8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 28SOJ RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6
IDT71256SA20YGI 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 28SOJ RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
IDT71256SA20YGI8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 28SOJ RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1449 (CN2011-ZH PDF)
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