參數(shù)資料
型號： IDT71024S12Y
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： CMOS STATIC RAM 1 MEG (128K x 8-BIT)
中文描述： 128K X 8 STANDARD SRAM, 12 ns, PDSO32
封裝： 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOJ-32
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 58K
代理商： IDT71024S12Y
4
IDT71024S70
CMOS STATIC RAM 1MEG (128K x 8-BIT)
COMMERCIAL TEMPERATURE RANGE
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(V
CC
= 5.0V
±
10%, Commercial Temperature Range)
71024S70
Min.
Symbol
Read Cycle
Parameter
Max.
Unit
t
RC
Read Cycle Time
70
—
ns
t
AA
Address Access Time
—
70
ns
t
ACS
t
CLZ(2)
t
CHZ(2)
Chip Select Access Time
—
70
ns
Chip Select to Output in Low-Z
3
—
ns
Chip Deselect to Output in High-Z
0
30
ns
t
OE
t
OLZ(2)
t
OHZ(2)
Output Enable to Output Valid
—
30
ns
Output Enable to Output in Low-Z
0
—
ns
Output Disable to Output in High-Z
0
30
ns
t
OH
t
PU(2)
t
PD(2)
Output Hold from Address Change
4
—
ns
Chip Select to Power-Up Time
0
—
ns
Chip Deselect to Power-Down Time
—
70
ns
Write Cycle
t
WC
Write Cycle Time
70
—
ns
t
AW
Address Valid to End-of-Write
60
—
ns
t
CW
Chip Select to End-of-Write
60
—
ns
t
AS
Address Set-up Time
0
—
ns
t
WP
Write Pulse Width
45
—
ns
t
WR
Write Recovery Time
0
—
ns
t
DW
Data Valid to End-of-Write
30
—
ns
t
DH
t
OW(2)
t
WHZ(2)
Data Hold Time
0
—
ns
Output Active from End-of-Write
5
—
ns
Write Enable to Output in High-Z
0
30
ns
NOTES:
1. 0
°
C to +70
°
C temperature range only.
2. This parameter guaranteed with the AC load (Figure 2) by device characterization, but is not production tested.
3568 tbl 08
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PDF描述
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