參數(shù)資料
型號(hào)： IDT71024
廠商： Integrated Device Technology, Inc.
英文描述： CMOS STATIC RAM 1 MEG (128K x 8-BIT)
中文描述： 的CMOS靜態(tài)RAM 1邁可（128K的× 8位）
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大小： 58K
代理商： IDT71024
2
IDT71024S70
CMOS STATIC RAM 1MEG (128K x 8-BIT)
COMMERCIAL TEMPERATURE RANGE
TRUTH TABLE
(1,2)
INPUTS
WE
X
CS1
CS2
H
OE
X
I/O
FUNCTION
X
High-Z
Deselected–Standby (I
SB
)
X
V
HC
(3)
X
X
High-Z
Deselected–Standby (I
SB1
)
X
X
X
X
L
X
X
High-Z
High-Z
Deselected–Standby (I
SB
)
Deselected–Standby (I
SB1
)
V
LC
(3)
H
H
L
L
L
L
H
H
H
H
L
X
High-Z
DATA
OUT
DATA
IN
Outputs Disabled
Read Data
Write Data
NOTES:
1. H = V
IH
, L = V
IL
, X = Don't care.
2. V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
CC
-0.2V.
3. Other inputs
≥
V
HC
or
≤
V
LC.
3568 tbl 01
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(1)
Symbol
Rating
V
TERM
(2)
Terminal Voltage with
Respect to GND
Com'L.
–0.5 to +7.0
Unit
V
T
A
Operating Temperature
0 to +70
°
C
T
BIAS
Temperature Under Bias
–55 to +125
°
C
T
STG
StorageTemperature
–55 to +125
°
C
P
T
Power Dissipation
1.25
W
I
OUT
DC Output Current
50
mA
NOTES:
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM
RATINGS may cause permanent damage to the device. This is a stress
rating only and functional operation of the device at these or any other
conditions above those indicated in the operational sections of this
specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating
conditions for extended periods may affect reliability.
2. V
TERM
must not exceed V
CC
+ 0.5V.
3568 tbl 02
PIN CONFIGURATION
SOJ
TOP VIEW
CAPACITANCE
(T
A
= +25
°
C, f = 1.0MHz, SOJ package)
Symbol
Parameter
(1)
C
IN
Input Capacitance
C
I/O
I/O Capacitance
Conditions
V
IN
= 3dV
V
OUT
= 3dV
Max.
8
8
Unit
pF
pF
NOTE:
1. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not prod-
uction tested.
3568 tbl 03
RECOMMENDED DC OPERATING
CONDITIONS
Symbol
Parameter Min. Typ. Max.
V
CC
Supply Voltage 4.5 5.0 5.5
GND
Supply Voltage 0 0 0
V
IH
Input High Voltage 2.2 — Vcc+0.5
V
IL
Input Low Voltage –0.5
(1)
— 0.8
Unit
V
V
V
V
NOTE:
1. V
IL
(min.) = –1.5V for pulse width less than 10ns, once per cycle.
3568 tbl 04
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
V
CC
= 5.0V
±
10%
IDT71024
Min. Max.
— 5
— 5
— 0.4
2.4 —
Symbol
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
Parameter
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Output LOW Voltage
Output HIGH Voltage
Test Condition
Unit
μ
A
μ
A
V
V
V
CC
= Max., V
IN
= GND to V
CC
V
CC
= Max.,
CS1
= V
IH
, CS2 = V
IL
, V
OUT
= GND to V
CC
I
OL
= 8mA, V
CC
= Min.
I
OH
= –4mA, V
CC
= Min.
3568 tbl 05
.
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I/O
0
I/O
1
I/O
2
1
2
3
4
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A
15
CS2
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CS1
I/O
7
I/O
6
I/O
5
I/O
4
I/O
3
3568 drw 02
GND
V
CC
S032-3
SO32-3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71024S12TY Octal Buffers And Line/MOS Drivers With 3-State Outputs 20-PDIP -40 to 85
IDT71024S12Y CMOS STATIC RAM 1 MEG (128K x 8-BIT)
IDT71024S15Y CMOS STATIC RAM 1 MEG (128K x 8-BIT)
IDT71024S15YI Precision Adjustable (Programmable) Shunt Reference 8-SOIC 0 to 70
IDT71024S17LB Precision Adjustable (Programmable) Shunt Reference 8-SOIC 0 to 70
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT71024MS15Y 功能描述:IC SRAM 1MBIT 15NS 32SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT71024MS15Y8 功能描述:IC SRAM 1MBIT 15NS 32SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT71024S12TY 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT71024S12TY8 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT71024S12TYG 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*