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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT71016S20PH |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit) |
| 中文描述： | 64K X 16 STANDARD SRAM, 20 ns, PDSO44 |
| 封裝： | 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-44 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 482K |
| 代理商： | IDT71016S20PH |
6.42
IDT71016, CMOS Static RAM
1 Meg (64K x 16-bit) Commercial and Industrial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics
(
V
CC = 5.0V ± 10%,
Commercial and Industrial Range
)
5
Timing Waveform of Read Cycle No. 1
(1,2,3)
NOTES:
1.
WE
is HIGH for Read Cycle.
2. Device is continuously selected,
CS
is LOW.
3.
OE
,
BHE
, and
BLE
are LOW.
DATA
OUT
ADDRESS
3210 drw 06
t
RC
t
AA
t
OH
t
OH
DATA
OUT
VALID
PREVIOUS DATA
OUT
VALID
,
NOTE:
1. This parameter is guaranteed with the AC Load (Figure 2) by device characterization, but is not production tested.
71016S12
71016S15
71016S20
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Mn.
Max.
Min.
Max.
Unit
READ CYCLE
t
RC
Read Cycle Time
12
____
15
____
20
____
ns
t
AA
Address Access Time
____
12
____
15
____
20
ns
t
ACS
Chip Select Access Time
____
12
____
15
____
20
ns
t
CLZ
(1)
Chip Select Low to Output in Low-Z
4
____
5
____
5
____
ns
t
CHZ
(1)
Chip Select High to Output in High-Z
____
6
____
6
____
8
ns
t
OE
Output Enable Low to Output Valid
____
7
____
8
____
10
ns
t
OLZ
(1)
Output Enable Low to Output in Low-Z
0
____
0
____
0
____
ns
t
OHZ
(1)
Output Enable High to Output in High-Z
____
6
____
6
____
8
ns
t
OH
Output Hold from Address Change
4
____
4
____
5
____
ns
t
BE
Byte Enable Low to Output Valid
____
7
____
8
____
10
ns
t
BLZ
(1)
Byte Enable Low to Output in Low-Z
0
____
0
____
0
____
ns
t
BHZ
(1)
Byte Enable High to Output in High-Z
____
6
____
6
____
8
ns
WRITE CYCLE
t
WC
Write Cycle Time
12
____
15
____
20
____
ns
t
AW
Address Valid to End of Write
9
____
10
____
12
____
ns
t
CW
Chip Select Low to End of Write
9
____
10
____
12
____
ns
t
BW
Byte Enable Low to End of Write
9
____
10
____
12
____
ns
t
AS
Address Set-up Time
0
____
0
____
0
____
ns
t
WR
Address Hold from End of Write
0
____
0
____
0
____
ns
t
WP
Write Pulse Width
9
____
10
____
12
____
ns
t
DW
Data Valid to End of Write
7
____
8
____
10
____
ns
t
DH
Data Hold Time
0
____
0
____
0
____
ns
t
OW
(1)
Write Enable High to Output in Low-Z
1
____
1
____
1
____
ns
t
WHZ
(1)
Write Enable Low to Output in High-Z
____
6
____
6
____
8
ns
3210 tbl 10
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| IDT71016S20PHG8 | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 20NS 44TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
| IDT71016S20PHGI | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 20NS 44TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤 |
| IDT71016S20PHGI8 | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 20NS 44TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:28-TSSOP（0.465"，11.8mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:28-TSOP 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:71V256SA15PZGI8 |
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