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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT70V9179L6PFI |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 64/32K x 9 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 高速3.3 64/32K × 9同步流水線雙端口靜態(tài)RAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/17頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 305K |
| 代理商： | IDT70V9179L6PFI |
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6.42
IDT70V9189/79L
High-Speed 64/32K x 9 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
Recommended Operating
Temperature and Supply Voltage
Recommended DC Operating
Conditions
Absolute Maximum Ratings
(1)
NOTES:
1. These parameters are determined by device characterization, but are not
production tested.
2. 3dV references the interpolated capacitance when the input and output switch
from 0V to 3V or from 3V to 0V.
3. C
OUT
also references C
I/O
.
Capacitance
(1)
(T
A
= +25°C, f = 1.0MH
Z
)
NOTES:
1. V
IL
> -1.5V for pulse width less than 10 ns.
2. V
TERM
must not exceed V
DD
+0.3V.
NOTES:
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional
operation of the device at these or any other conditions above those indicated
in the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute
maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.
2. V
TERM
must not exceed V
DD
+0.3V for more than 25% of the cycle time or 10ns
maximum, and is limited to < 20mA for the period of V
TERM
> V
DD
+ 0.3V.
3. Ambient Temperature Under DC Bias. NO AC Conditions. Chip Deselected.
NOTES:
1. This is the parameter T
A
. This is the "instant on" case temperature.
Grade
Ambient
Temperature
(2)
GND
V
DD
Commercial
0
O
C to +70
O
C
0V
3.3V
+
0.3V
Industrial
-40
O
C to +85
O
C
0V
3.3V
+
0.3V
4860 tbl 04
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
DD
Supply Voltage
3.0
3.3
3.6
V
V
SS
Ground
0
0
0
V
V
IH
Input High Voltage
2.0V
____
V
CC
+0.3V
(2)
V
V
IL
Input Low Voltage
-0.3
(1)
____
0.8
V
4860 tbl 05
Symbol
Rating
Commercial
& Industrial
Unit
V
TERM
(2)
Terminal Voltage
with Respect to
GND
-0.5 to +4.6
V
T
BIAS
Temperature
Under Bias
-55 to +125
o
C
T
STG
Storage
Temperature
-65 to +150
o
C
T
JN
Junction
Temperature
+150
o
C
I
OUT
DC Output Current
50
mA
4860 tbl 06
Symbol
Parameter
Conditions
(2)
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 3dV
9
pF
C
OUT
(3)
Output Capacitance
V
OUT
= 3dV
10
pF
4860 tbl 07
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range
(V
DD
= 3.3V ± 0.3V)
NOTE:
1. At V
DD
< 2.0V input leakages are undefined.
Symbol
Parameter
Test Conditions
70V9189/79L
Unit
Min.
Max.
|I
LI
|
Input Leakage Current
(1)
V
DD
= 3.6V, V
IN
= 0V to V
DD
___
5
μA
|I
LO
|
Output Leakage Current
CE
= V
IH
or CE
1
= V
IL
, V
OUT
= 0V to V
DD
___
5
μA
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= +4mA
___
0.4
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= -4mA
2.4
___
V
4860 tbl 08
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