參數(shù)資料
型號： IDT70V7339S200BCI
廠商： Integrated Device Technology, Inc.
英文描述： HIGH-SPEED 3.3V 512K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
中文描述： 高速與3.3V 3.3V的為512k × 18 SYNCHRONOU開戶銀行可切換雙端口靜態(tài)RAM或2.5V的接口
文件頁數(shù)： 17/22頁
文件大小： 482K
代理商： IDT70V7339S200BCI
6.42
IDT70V7339S
High-Speed 512K x 18 Synchronous Bank-Switchable Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Pipelined Read with Address Counter Advance
(1)
ADDRESS
An
CLK
DATA
OUT
Qx - 1
(2)
Qx
Qn
Qn + 2
(2)
Qn + 3
ADS
CNTEN
t
CYC2
t
CH2
t
CL2
5628 drw 16
t
SA
t
HA
t
SAD
t
HAD
t
CD2
t
DC
READ
EXTERNAL
ADDRESS
READ WITH COUNTER
COUNTER
HOLD
t
SAD
t
HAD
t
SCN
t
HCN
READ
WITH
COUNTER
Qn + 1
NOTES:
1.
CE
0
,
OE
,
UB
/
LB
= V
IL
; CE
1
, R/
W
, and
REPEAT
= V
IH
.
2. If there is no address change via
ADS
= V
IL
(loading a new address) or
CNTEN
= V
IL
(advancing the address), i.e.
ADS
= V
IH
and
CNTEN
= V
IH
, then
the data output remains constant for subsequent clocks.
Timing Waveform of Flow-Through Read with Address Counter Advance
(1)
ADDRESS
An
CLK
DATA
OUT
Qx
(2)
Qn
Qn + 1
Qn + 2
Qn + 3
(2)
Qn + 4
ADS
CNTEN
t
CYC1
t
CH1
t
CL1
t
SA
t
HA
t
SAD
t
HAD
READ
EXTERNAL
ADDRESS
READ WITH COUNTER
COUNTER
HOLD
t
CD1
t
DC
t
SAD
t
HAD
t
SCN
t
HCN
READ
WITH
COUNTER
相關PDF資料
PDF描述
IDT70V7339S200BF HIGH-SPEED 3.3V 512K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70V7339S200BFI HIGH-SPEED 3.3V 512K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70V7339S200DD HIGH-SPEED 3.3V 512K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70V7339S200DDI HIGH-SPEED 3.3V 512K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70V7399S133BC HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
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參數(shù)描述
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IDT70V7519S133BCI 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
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