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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT70V7339S133BF |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 512K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| 中文描述： | 512K X 18 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PBGA208 |
| 封裝： | 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-208 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/22頁(yè) |
| 文件大小： | 482K |
| 代理商： | IDT70V7339S133BF |
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6.42
IDT70V7339S
High-Speed 512K x 18 Synchronous Bank-Switchable Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
Capacitance
(1)
(T
A
= +25°C, F = 1.0MH
Z
) PQFP ONLY
Conditions
(2)
Max.
Unit
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range
(V
DD
= 3.3V ± 150mV)
NOTES:
1. At V
DD
< 2.0V leakages are undefined.
2. V
DDQ
is selectable (3.3V/2.5V) via OPT pins. Refer to p.5 for details.
Symbol
Parameter
Test Conditions
70V7339S
Unit
Mn.
Max.
|
LI
|
Input Leakage Current
(1)
V
DDQ
= Max., V
IN
= 0V to V
DDQ
___
10
μA
|
LO
|
Output Leakage Current
(1)
CE
0
= V
IH
or CE
1
= V
IL
, V
OUT
= 0V to V
DDQ
___
10
μA
V
OL
(3.3V)
Output Low Voltage
(2)
I
OL
= +4mA, V
DDQ
= Min.
___
0.4
V
V
OH
(3.3V)
Output High Voltage
(2)
I
OH
= -4mA, V
DDQ
= Min.
2.4
___
V
V
OL
(2.5V)
Output Low Voltage
(2)
I
OL
= +2mA, V
DDQ
= Min.
___
0.4
V
V
OH
(2.5V)
Output High Voltage
(2)
I
OH
= -2mA, V
DDQ
= Min.
2.0
___
V
5628 tbl 08
NOTES:
1. These parameters are determned by device characterization, but are not
production tested.
2. 3dV references the interpolated capacitance when the input and output switch
from0V to 3V or from3V to 0V.
3. C
OUT
also references C
I/O
.
Symbol
Parameter
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 3dV
8
pF
C
OUT
(3)
Output Capacitance
V
OUT
= 3dV
10.5
pF
5628 tbl 07
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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