<mark id="ekkwo"><label id="ekkwo"></label></mark>

        收藏本站
        • 您好,
          買賣IC網歡迎您。
        • 請登錄
        • 免費注冊
        • 我的買賣
        • 新采購0
        • VIP會員服務
        • [北京]010-87982920
        • [深圳]0755-82701186
        • 網站導航
        發(fā)布緊急采購
        • IC現貨
        • IC急購
        • 電子元器件
        VIP會員服務
        • 您現在的位置:買賣IC網 > PDF目錄353778 > IDT70V658S12BCI (INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC) HIGH-SPEED 3.3V 64K X 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM PDF資料下載
        參數資料
        型號: IDT70V658S12BCI
        廠商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
        元件分類: DRAM
        英文描述: HIGH-SPEED 3.3V 64K X 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
        中文描述: 64K X 36 DUAL-PORT SRAM, 12 ns, PBGA256
        封裝: 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-256
        文件頁數: 4/15頁
        文件大小: 190K
        代理商: IDT70V658S12BCI
        第1頁第2頁第3頁當前第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁
        6.42
        IDT70V9379L
        High-Speed 32K x 18 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
        Industrial and Commercial Temperature Ranges
        12
        Timing Waveform of Pipelined Read with Address Counter Advance(1)
        Timing Waveform of Flow-Through Read with Address Counter Advance(1)
        NOTES:
        1.
        CE0, OE, UB, and LB = VIL; CE1, R/W, and CNTRST = VIH.
        2. If there is no address change via
        ADS = VIL (loading a new address) or CNTEN = VIL (advancing the address), i.e. ADS = VIH and CNTEN = VIH, then the data
        output remains constant for subsequent clocks.
        ADDRESS
        An
        CLK
        DATAOUT
        Qx - 1
        (2)
        Qx
        Qn
        Qn + 2
        (2)
        Qn + 3
        ADS
        CNTEN
        tCYC2
        tCH2
        tCL2
        4857 drw 14
        tSA
        tHA
        tSAD tHAD
        tCD2
        tDC
        READ
        EXTERNAL
        ADDRESS
        READ WITH COUNTER
        COUNTER
        HOLD
        tSAD tHAD
        tSCN tHCN
        READ
        WITH
        COUNTER
        Qn + 1
        ADDRESS
        An
        CLK
        DATAOUT
        Qx
        (2)
        Qn
        Qn + 1
        Qn + 2
        Qn + 3
        (2)
        Qn + 4
        ADS
        CNTEN
        tCYC1
        tCH1
        tCL1
        4857 drw 15
        tSA
        tHA
        tSAD tHAD
        READ
        EXTERNAL
        ADDRESS
        READ WITH COUNTER
        COUNTER
        HOLD
        tCD1
        tDC
        tSAD tHAD
        tSCN tHCN
        READ
        WITH
        COUNTER
        相關PDF資料
        PDF描述
        IDT70V658S12BF HIGH-SPEED 3.3V 64K X 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
        IDT70V658S12BFI HIGH-SPEED 3.3V 64K X 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
        IDT70V658S12DR HIGH-SPEED 3.3V 64K X 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
        IDT70V658S12DRI HIGH-SPEED 3.3V 64K X 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
        IDT70V658S15BC HIGH-SPEED 3.3V 64K X 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
        相關代理商/技術參數
        參數描述
        IDT70V658S12BCI8 功能描述:IC SRAM 2MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
        IDT70V658S12BF 功能描述:IC SRAM 2MBIT 12NS 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
        IDT70V658S12BF8 功能描述:IC SRAM 2MBIT 12NS 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
        IDT70V658S12BFGI 功能描述:IC SRAM 2MBIT 12NS 208FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
        IDT70V658S12BFGI8 功能描述:IC SRAM 2MBIT 12NS 208FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
        發(fā)布緊急采購,3分鐘左右您將得到回復。

        采購需求

        (若只采購一條型號,填寫一行即可)

        發(fā)布成功!您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺,查看報價

        發(fā)布成功!您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺,查看報價

        *型號 *數量 廠商 批號 封裝
        添加更多采購

        我的聯(lián)系方式

        *
        *
        *
        • VIP會員服務 |
        • 廣告服務 |
        • 付款方式 |
        • 聯(lián)系我們 |
        • 招聘銷售 |
        • 免責條款 |
        • 網站地圖

        感谢您访问我们的网站,您可能还对以下资源感兴趣:

        两性色午夜免费视频
      • <mark id="qeum9"><acronym id="qeum9"><u id="qeum9"></u></acronym></mark>