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參數(shù)資料
| 型號： | IDT70V657S12BF |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 30V N-Channel MOSFET with Schottky Diode; ; No of Pins: 8; Container: Tape & Reel |
| 中文描述： | 32K X 36 DUAL-PORT SRAM, 12 ns, PBGA208 |
| 封裝： | 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FPBGA-208 |
| 文件頁數(shù)： | 4/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 190K |
| 代理商： | IDT70V657S12BF |
6.42
IDT70V9379L
High-Speed 32K x 18 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
12
Timing Waveform of Pipelined Read with Address Counter Advance(1)
Timing Waveform of Flow-Through Read with Address Counter Advance(1)
NOTES:
1.
CE0, OE, UB, and LB = VIL; CE1, R/W, and CNTRST = VIH.
2. If there is no address change via
ADS = VIL (loading a new address) or CNTEN = VIL (advancing the address), i.e. ADS = VIH and CNTEN = VIH, then the data
output remains constant for subsequent clocks.
ADDRESS
An
CLK
DATAOUT
Qx - 1
(2)
Qx
Qn
Qn + 2
(2)
Qn + 3
ADS
CNTEN
tCYC2
tCH2
tCL2
4857 drw 14
tSA
tHA
tSAD tHAD
tCD2
tDC
READ
EXTERNAL
ADDRESS
READ WITH COUNTER
COUNTER
HOLD
tSAD tHAD
tSCN tHCN
READ
WITH
COUNTER
Qn + 1
ADDRESS
An
CLK
DATAOUT
Qx
(2)
Qn
Qn + 1
Qn + 2
Qn + 3
(2)
Qn + 4
ADS
CNTEN
tCYC1
tCH1
tCL1
4857 drw 15
tSA
tHA
tSAD tHAD
READ
EXTERNAL
ADDRESS
READ WITH COUNTER
COUNTER
HOLD
tCD1
tDC
tSAD tHAD
tSCN tHCN
READ
WITH
COUNTER
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V657S12BFI | 30V N-Channel MOSFET with Schottky Diode |
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| IDT70V657S15BCI | HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| IDT70V657S12BFGI8 | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 12NS 208FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
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