參數(shù)資料
型號(hào)： IDT70V657S10BFI
廠商： Integrated Device Technology, Inc.
英文描述： HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
中文描述： 高速3.3 128/64/32K × 36 ASYNCHRONO美國(guó)雙端口靜態(tài)RAM
文件頁(yè)數(shù)： 4/15頁(yè)
文件大?。?/td> 190K
代理商： IDT70V657S10BFI
6.42
IDT70V9379L
High-Speed 32K x 18 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
12
Timing Waveform of Pipelined Read with Address Counter Advance(1)
Timing Waveform of Flow-Through Read with Address Counter Advance(1)
NOTES:
1.
CE0, OE, UB, and LB = VIL; CE1, R/W, and CNTRST = VIH.
2. If there is no address change via
ADS = VIL (loading a new address) or CNTEN = VIL (advancing the address), i.e. ADS = VIH and CNTEN = VIH, then the data
output remains constant for subsequent clocks.
ADDRESS
An
CLK
DATAOUT
Qx - 1
(2)
Qx
Qn
Qn + 2
(2)
Qn + 3
ADS
CNTEN
tCYC2
tCH2
tCL2
4857 drw 14
tSA
tHA
tSAD tHAD
tCD2
tDC
READ
EXTERNAL
ADDRESS
READ WITH COUNTER
COUNTER
HOLD
tSAD tHAD
tSCN tHCN
READ
WITH
COUNTER
Qn + 1
ADDRESS
An
CLK
DATAOUT
Qx
(2)
Qn
Qn + 1
Qn + 2
Qn + 3
(2)
Qn + 4
ADS
CNTEN
tCYC1
tCH1
tCL1
4857 drw 15
tSA
tHA
tSAD tHAD
READ
EXTERNAL
ADDRESS
READ WITH COUNTER
COUNTER
HOLD
tCD1
tDC
tSAD tHAD
tSCN tHCN
READ
WITH
COUNTER
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70V657S10DR HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V657S10DRI HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V657S12BC HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
IDT74FCT3807SOI 3.3V CMOS 1-TO-10 CLOCK DRIVER
IDT54FCT257TDB FAST CMOS QUAD 2-INPUT MULTIPLEXER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT70V657S10DR 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 10NS 208QFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70V657S10DRG 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 10NS 208PQFP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70V657S10DRG8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 10NS 208PQFP
IDT70V657S12BC 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70V657S12BC8 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
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