參數(shù)資料
型號： IDT70V639S15PRF
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
中文描述： 128K X 18 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PQFP128
封裝： 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-128
文件頁數(shù)： 10/23頁
文件大?。?/td> 187K
代理商： IDT70V639S15PRF
IDT70V639S
High-Speed 3.3V 128K x 18 Asynchronous Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
Preliminary
10
7'1A'
1&,023+
6"
NOTES:
1. Transition is measured 0mV fromLow or High-impedance voltage with Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is guaranted by device characterization, but is not production tested.
3. To access RAM
CE
= V
IL
and
SEM
= V
IH
. To access semaphore,
CE
= V
IH
and
SEM
= V
IL
. Either condition must be valid for the entire t
EW
time.
4. The specification for t
DH
must be met by the device supplying write data to the RAMunder all operating conditions. Although t
DH
and t
OW
values will vary over voltage
and temperature, the actual t
DH
will always be smaller than the actual t
OW
.
5. These values are valid regardless of the power supply level selected for I/O and control signals (3.3V/2.5V). See page 5 for details.
7'1A'
1&,023
6"
Symbol
Parameter
70V639S10
Coml Only
70V639S12
Coml
& Ind
70V639S15
Coml
& Ind
Unit
Mn.
Max.
Mn.
Max.
Mn.
Max.
READ CYCLE
t
RC
Read Cycle Time
10
____
12
____
15
____
ns
t
AA
Address Access Time
____
10
____
12
____
15
ns
t
ACE
Chip Enable Access Time
(3)
____
10
____
12
____
15
ns
t
ABE
Byte Enable Access Time
(3)
____
5
____
6
____
7
ns
t
AOE
Output Enable Access Time
____
5
____
6
____
7
ns
t
OH
Output Hold fromAddress Change
3
____
3
____
3
____
ns
t
LZ
Output Low-Z Time
(1,2)
0
____
0
____
0
____
ns
t
HZ
Output High-Z Time
(1,2)
0
4
0
6
0
8
ns
t
PU
Chip Enable to Power Up Time
(2)
0
____
0
____
0
____
ns
t
PD
Chip Disable to Power Down Time
(2)
____
10
____
10
____
15
ns
t
SOP
Semaphore Flag Update Pulse (
OE
or
SEM
)
____
4
____
6
____
8
ns
t
SAA
Semaphore Address Access Time
3
10
3
12
3
20
ns
5621 tbl 12
Symbol
Parameter
70V639S10
Coml Only
70V639S12
Coml
& Ind
70V639S15
Coml
& Ind
Unit
Mn.
Max.
Mn.
Max.
Mn.
Max.
WRITE CYCLE
t
WC
Write Cycle Time
10
____
12
____
15
____
ns
t
EW
Chip Enable to End-of-Write
(3)
8
____
10
____
12
____
ns
t
AW
Address Valid to End-of-Write
8
____
10
____
12
____
ns
t
AS
Address Set-up Time
(3)
0
____
0
____
0
____
ns
t
WP
Write Pulse Width
8
____
10
____
12
____
ns
t
WR
Write Recovery Time
0
____
0
____
0
____
ns
t
DW
Data Valid to End-of-Write
6
____
8
____
10
____
ns
t
DH
Data Hold Time
(4)
0
____
0
____
0
____
ns
t
WZ
Write Enable to Output in High-Z
(1,2)
____
4
____
4
____
4
ns
t
OW
Output Active fromEnd-of-Write
(1,2,4)
0
____
0
____
0
____
ns
t
SWRD
SEM
Flag Write to Read Time
5
____
5
____
5
____
ns
t
SPS
SEM
Flag Contention Window
5
____
5
____
5
____
ns
5621 tbl 13
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70V639S15PRFI HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V7319S HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70V7319S133BC HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70V7319S133BCI HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70V7319S133BF Photoelectric Sensor; Sensor Input Type:Optical; Sensing Range Max:50mm; Circuitry:SPDT; Leaded Process Compatible:No; Output Type:PNP; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Sensing Mode:Fixed-Field
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參數(shù)描述
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IDT70V657S10BC 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70V657S10BC8 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70V657S10BCG 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 10NS 256BGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70V657S10BF 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 10NS 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
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