參數(shù)資料
型號： IDT70V639S15BF
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
中文描述： 128K X 18 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PBGA208
封裝： 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FPBGA-208
文件頁數(shù)： 6/23頁
文件大小： 187K
代理商： IDT70V639S15BF
IDT70V639S
High-Speed 3.3V 128K x 18 Asynchronous Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
Preliminary
6
NOTE:
1. "H" = V
IH,
"L" = V
IL,
"X" = Don't Care.
&'&()*+,-.,(
"
OE
SEM
CE
0
CE
1
UB
LB
R/
W
Byte 1
I/O
9-17
Byte 0
I/O
0-8
MODE
X
H
H
X
X
X
X
High-Z
High-Z
Deselected
–
Power Down
X
H
X
L
X
X
X
High-Z
High-Z
Deselected
–
Power Down
X
H
L
H
H
H
X
High-Z
High-Z
Both Bytes Deselected
X
H
L
H
H
L
L
High-Z
D
IN
Write to Byte 0 Only
X
H
L
H
L
H
L
D
IN
High-Z
Write to Byte 1 Only
X
H
L
H
L
L
L
D
IN
D
IN
Write to Both Bytes
L
H
L
H
H
L
H
High-Z
D
OUT
Read Byte 0 Only
L
H
L
H
L
H
H
D
OUT
High-Z
Read Byte 1 Only
L
H
L
H
L
L
H
D
OUT
D
OUT
Read Both Bytes
H
H
L
H
L
L
X
High-Z
High-Z
Outputs Disabled
5621 tbl 02
&'&())/0'+,-.
"
NOTE:
1. There are eight semaphore flags written to I/O
0
and read fromall the I/Os (I/O
0
-I/O
17
). These eight semaphore flags are addressed by A
0
-A
2
.
2.
CE
= L occurs when
CE
0
= V
IL
and CE
1
= V
IH
.
3. Each byte is controlled by the respective
UB
or
LB
. To read data
UB
and/or
LB
= V
IL
.
Inputs
(1)
Outputs
Mode
CE
(2)
R/
W
OE
UB
LB
SEM
I/O
1-17
I/O
0
H
H
L
L
L
L
DATA
OUT
DATA
OUT
Read Data in Semaphore Flag
(3)
H
↑
X
X
L
L
X
DATA
IN
Write I/O
0
into Semaphore Flag
L
X
X
X
X
L
______
______
Not Allowed
5621 tbl 03
相關PDF資料
PDF描述
IDT70V639S15BFI HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V639S15PRF HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V639S15PRFI HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V7319S HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70V7319S133BC HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IDT70V639S15BF8 功能描述:IC SRAM 2.25MBIT 15NS 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70V639S15PRF 功能描述:IC SRAM 2.25MBIT 15NS 128TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70V639S15PRF8 功能描述:IC SRAM 2.25MBIT 15NS 128TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70V657S10BC 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70V657S10BC8 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*