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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT70V639S15BC |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 128K X 18 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PBGA256 |
| 封裝： | 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-256 |
| 文件頁數(shù)： | 23/23頁 |
| 文件大?。?/td> | 187K |
| 代理商： | IDT70V639S15BC |
IDT70V639S
High-Speed 3.3V 128K x 18 Asynchronous Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
Preliminary
23
1,)
5621 drw 21
A
Power
999
Speed
A
Package
A
Process/
Temperature
Range
Blank
I
Commercial (0
°
C to +70
°
C)
Industrial (-40
°
C to +85
°
C)
BF
PRF
BC
208-ball fpBGA (BF-208)
128-pin TQFP (PK-128)
256-ball BGA (BC-256)
10
12
15
S
Standard Power
XXXXX
Device
Type
2304K (128K x 18) Asynchronous Dual-Port RAM
70V639
IDT
Speed in nanoseconds
Commercial Only
Commercial & Industrial
Commercial & Industrial
The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.
CORPORATE HEADQUARTERS
2975 Stender Way
Santa Clara, CA 95054
for SALES:
800-345-7015 or 408-727-6116
fax: 408-492-8674
www.idt.com
for Tech Support:
831-754-4613
DualPortHelp@idt.com
2'H
Definition
"PRELIMINARY' datasheets contain descriptions for products that are in early release.
'=2H
6/1/00:
8/7/00:
6/20/01:
Initial Public Offering.
Pages 6,13,20 Inserted additional
LB
and
UB
information.
Added JTAG information for TQFP package on page 1.
Increased
BUSY
TIMING parameters t
BDA
,t
BAC
,t
BDC
and t
BDD
for all speeds on page 14.
Changed maximumvalue for JTAG AC Electrical Characteristics for t
JCD
from20ns to 25ns on page 21.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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