- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377287 > IDT70V639S12PRFI (INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC) HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IDT70V639S12PRFI |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 128K X 18 DUAL-PORT SRAM, 12 ns, PQFP128 |
| 封裝： | 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-128 |
| 文件頁數(shù)： | 9/23頁 |
| 文件大?。?/td> | 187K |
| 代理商： | IDT70V639S12PRFI |
IDT70V639S
High-Speed 3.3V 128K x 18 Asynchronous Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
Preliminary
9
7&,
Input Pulse Levels
3
5
C % 3-%63"
Figure 1. AC Output Test load.
Figure 2. Output Test Load
(For t
CKLZ
, t
CKHZ
, t
OLZ
, and t
OHZ
).
*Including scope and jig.
Figure 3. Typical Output Derating (Lumped Capacitive Load).
Input Rise/Fall Times
Input Timng Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
GND to 3.0V / GND to 2.5V
2ns Max.
1.5V/1.25V
1.5V1.25V
Figures 1 and 2
5621 tbl 11
1.5V/1.25
50
50
5621 drw 03
10pF
(Tester)
DATA
OUT
,
5621 drw 04
590
5pF*
435
3.3V
DATA
OUT
,
833
5pF*
770
2.5V
DATA
OUT
,
-1
1
2
3
4
5
6
7
20.5
30
50
80
100
200
10.5pF is the I/O capacitance of this
device, and 10pF is the AC Test Load
Capacitance.
Capacitance (pF)
tAA
(Typical, ns)
5621 drw 05
,
Figure 2. Output Test Load
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V639S15BC | HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V639S15BCI | HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V639S15BF | HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V639S15BFI | HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V639S15PRF | HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT70V639S12PRFI8 | 功能描述:IC SRAM 2.25MBIT 12NS 128TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70V639S15BC | 功能描述:IC SRAM 2.25MBIT 15NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70V639S15BC8 | 功能描述:IC SRAM 2.25MBIT 15NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70V639S15BF | 功能描述:IC SRAM 2.25MBIT 15NS 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70V639S15BF8 | 功能描述:IC SRAM 2.25MBIT 15NS 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。