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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT70V639S12BF |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 128K X 18 DUAL-PORT SRAM, 12 ns, PBGA208 |
| 封裝： | 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FPBGA-208 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 17/23頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 187K |
| 代理商： | IDT70V639S12BF |
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IDT70V639S
High-Speed 3.3V 128K x 18 Asynchronous Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
Preliminary
17
&'&()))*)
!"
.A)&
"
NOTES:
1. All timng is the same for left and right ports. Port
“
A
”
may be either the left or right port. Port
“
B
”
is the port opposite fromport
“
A
”
.
2. Refer to Interrupt Truth Table.
3. Timng depends on which enable signal (
CE
or R/
W
) is asserted last.
4. Timng depends on which enable signal (
CE
or R/
W
) is de-asserted first.
NOTES:
1. Assumes
BUSY
L
=
BUSY
R
=V
IH
.
2. If
BUSY
L
= V
IL
, then no change.
3. If
BUSY
R
= V
IL
, then no change.
4.
INT
L
and
INT
R
must be initialized at power-up.
5621 drw 16
ADDR
"A"
INTERRUPT SET ADDRESS
CE
"A"
R/
W
"A"
t
AS
t
WC
t
WR
(3)
(4)
t
INS
(3)
INT
"B"
(2)
5621 drw 17
ADDR
"B"
INTERRUPT CLEAR ADDRESS
CE
"B"
OE
"B"
t
AS
t
RC
(3)
t
INR
(3)
INT
"B"
(2)
Left Port
Right Port
Function
R/
W
L
CE
L
OE
L
A
16L
-A
0L
INT
L
R/
W
R
CE
R
OE
R
A
16R
-A
0R
INT
R
L
L
X
1FFFF
X
X
X
X
X
L
(2)
Set Right
INT
R
Flag
X
X
X
X
X
X
L
L
1FFFF
H
(3)
Reset Right
INT
R
Flag
X
X
X
X
L
(3)
L
L
X
1FFFE
X
Set Left
INT
L
Flag
X
L
L
1FFFE
H
(2)
X
X
X
X
X
Reset Left
INT
L
Flag
5621 tbl 16
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V639S12BFI | HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V639S12PRF | HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V639S12PRFI | HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V639S15BC | HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V639S15BCI | HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IDT70V639S12BFGI | 功能描述:IC SRAM 2.25MBIT 12NS 208FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:CAV24C32WE-GT3OSTR |
| IDT70V639S12BFGI8 | 功能描述:IC SRAM 2.25MBIT 12NS 208FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
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| IDT70V639S12BFI8 | 功能描述:IC SRAM 2.25MBIT 12NS 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
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